[實(shí)用新型]鍍膜載板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202023344028.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN214203638U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 安徽華晟新能源科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/673 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京清大紫荊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波 |
| 地址: | 242074 安徽省宣城市宣城經(jīng)*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜 | ||
本申請(qǐng)實(shí)施例中提供了一種鍍膜載板,屬于太陽(yáng)能電池加工夾具的技術(shù)領(lǐng)域,至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的硅片在加工時(shí)與載板接觸面積過(guò)大,致使太陽(yáng)能電池量產(chǎn)效率較低的問(wèn)題。包括載板本體,所述載板本體上設(shè)有用于放置硅片的凹槽,所述凹槽內(nèi)安裝有用于支撐所述硅片的支撐部,所述支撐部與硅片的接觸面積小于所述硅片的面積。通過(guò)本申請(qǐng)的處理方案,提高了太陽(yáng)能電池中硅片的加工率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)能電池硅片夾具的技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鍍膜載板。
背景技術(shù)
硅基太陽(yáng)能電池經(jīng)歷了兩個(gè)階段:以晶體硅和多晶硅為代表的第一代太陽(yáng)能電池和以非晶硅薄膜為代表的第二代太陽(yáng)能電池。然而,傳統(tǒng)的基于同質(zhì)PN結(jié)(P是positive的縮寫(xiě),N是negative的縮寫(xiě),表明正荷子與負(fù)荷子起作用的特點(diǎn))技術(shù)的硅基太陽(yáng)能電池存在效率低、產(chǎn)品光衰嚴(yán)重等問(wèn)題,異質(zhì)結(jié)電池及其技術(shù)為解決上述問(wèn)題應(yīng)運(yùn)而生。其特點(diǎn)是低溫制造工藝:異質(zhì)結(jié)電池所有制程的加工溫度均低于250℃,避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫?cái)U(kuò)散制結(jié)的過(guò)程,而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制,也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。
相比傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池,異質(zhì)結(jié)電池工藝流程大大簡(jiǎn)化(見(jiàn)圖1異質(zhì)結(jié)電池工藝流程),但對(duì)工藝的要求卻更為嚴(yán)苛,如潔凈度、真空度、溫度控制、鍍膜質(zhì)量等,比現(xiàn)有的電池技術(shù)要求都要高一個(gè)量級(jí)。
現(xiàn)有技術(shù)的缺陷是:異質(zhì)結(jié)電池結(jié)構(gòu)的本質(zhì)特征是鈍化使電池獲得一個(gè)良好的界面,從而避免載流子的復(fù)合,而鈍化效果直接反映在少子壽命上,因此降低界面缺陷態(tài)密度,提高本征非晶硅薄層鈍化后硅片少子壽命的工序是制備高效太陽(yáng)能電池的前提和關(guān)鍵。由于非晶硅薄膜生長(zhǎng)對(duì)表面質(zhì)量要求很高,對(duì)清洗后的硅片而言,任何的物理接觸均會(huì)對(duì)少子壽命產(chǎn)生不良影響,如何在鍍膜前后保證硅片的表面潔凈程度成為異質(zhì)結(jié)電池制程的關(guān)鍵技術(shù),硅片整面跟載板物理接觸造成的不良影響無(wú)法消除,影響太陽(yáng)能電池的使用效率,并且在載板上進(jìn)行凹槽的設(shè)置成本較大。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種鍍膜載板,至少部分解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的硅片在加工時(shí)與載板接觸面積過(guò)大,致使太陽(yáng)能電池量產(chǎn)效率較低的問(wèn)題。
本實(shí)用新型提供一種鍍膜載板,包括載板本體和支撐件,所述載板本體中開(kāi)設(shè)有用于放置硅片的凹槽,所述載板本體鄰近所述凹槽的邊緣為用于支撐所述硅片的支撐部,所述支撐件活動(dòng)設(shè)置于所述凹槽內(nèi)且至少部分位于所述支撐部上方,所述支撐部和所述支撐件與硅片的接觸面積小于所述硅片的面積。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,所述支撐部與所述支撐件結(jié)合為臺(tái)階狀。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,在所述載板本體鄰近所述凹槽的區(qū)域沿所述凹槽的邊緣開(kāi)設(shè)有條狀的容置槽,所述支撐件在與所述支撐部接觸的端部為條狀搭扣,所述搭扣能置入所述容置槽以使得所述支撐件與所述支撐部連接。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,所述容置槽在靠近所述凹槽的內(nèi)槽壁下沿形成卡槽,所述搭扣的下部形成突部,所述卡槽與所述突部的形狀相適配,以使得所述支撐件與所述支撐部卡合。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,所述支撐件采用高純材料制成,所述高純材料包括石墨、玻璃、石英、陶瓷中的至少一種。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,所述支撐部至少沿所述凹槽的兩個(gè)邊設(shè)置,和/或,每個(gè)所述支撐部的長(zhǎng)度尺寸與其所在所述凹槽的邊長(zhǎng)相同。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,所述支撐件的高度與所述凹槽的深度相同。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,所述凹槽所在區(qū)域的底部設(shè)置有多個(gè)滲流孔,所述滲流孔以對(duì)稱(chēng)的方式設(shè)置。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,每一所述凹槽所在區(qū)域的所述滲流孔的數(shù)量為6個(gè),所述滲流孔在所述凹槽內(nèi)均勻分布。
在一個(gè)優(yōu)選或可選的實(shí)施方式中,所述凹槽以四邊形倒角的形狀設(shè)置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





