[實(shí)用新型]半導(dǎo)體功率模塊的外殼及半導(dǎo)體功率模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023343902.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN213782004U
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬文俊;彭浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯集成電路制造（紹興）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/04
• 分類號(hào): H01L23/04;H01L23/10
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，包括點(diǎn)膠槽，其特征在于，所述外殼包括側(cè)壁及由所述側(cè)壁圍合形成的容置腔，所述側(cè)壁遠(yuǎn)離所述容置腔底部的端面向內(nèi)凹陷形成所述點(diǎn)膠槽，所述點(diǎn)膠槽的第一側(cè)墻的高度大于第二側(cè)墻的高度，所述點(diǎn)膠槽的第一側(cè)墻為所述點(diǎn)膠槽遠(yuǎn)離所述容置腔的側(cè)壁，所述點(diǎn)膠槽的第二側(cè)墻為所述點(diǎn)膠槽靠近所述容置腔的側(cè)壁，所述第一側(cè)墻的高度為所述第一側(cè)墻的最高點(diǎn)與所述點(diǎn)膠槽的槽底之間的距離，所述第二側(cè)墻的高度為所述第二側(cè)墻的最高點(diǎn)與所述點(diǎn)膠槽的槽底之間的距離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，其特征在于，所述點(diǎn)膠槽的兩側(cè)分別為第一凸臺(tái)和第二凸臺(tái)，所述第一凸臺(tái)位于所述點(diǎn)膠槽遠(yuǎn)離所述容置腔的一側(cè)，所述第二凸臺(tái)位于所述點(diǎn)膠槽靠近所述容置腔的一側(cè)，所述第一凸臺(tái)的高度大于所述第二凸臺(tái)的高度，所述第一凸臺(tái)的高度為所述第一凸臺(tái)的表面與所述點(diǎn)膠槽底部之間的距離，所述第二凸臺(tái)的高度為所述第二凸臺(tái)的表面與所述點(diǎn)膠槽底部之間的距離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，其特征在于，所述點(diǎn)膠槽沿所述外殼的周向環(huán)繞所述容置腔開設(shè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，其特征在于，所述點(diǎn)膠槽的槽底為平面，所述點(diǎn)膠槽的第一側(cè)墻和第二側(cè)墻均垂直于所述槽底。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，其特征在于，所述第二凸臺(tái)上還開設(shè)有儲(chǔ)存槽，所述儲(chǔ)存槽用于將溢流至第二凸臺(tái)表面的點(diǎn)膠液進(jìn)行收集儲(chǔ)存。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，其特征在于，所述第二凸臺(tái)的表面向內(nèi)凹陷形成所述儲(chǔ)存槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，其特征在于，所述儲(chǔ)存槽的數(shù)量為多個(gè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種半導(dǎo)體功率模塊的外殼，其特征在于，所述第二凸臺(tái)的表面遠(yuǎn)離所述點(diǎn)膠槽的部分包括弧面，所述弧面用于將溢流至第二凸臺(tái)表面的點(diǎn)膠液朝所述容置腔的方向引流。

9.一種半導(dǎo)體功率模塊，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體功率模塊的外殼。