[實用新型]光電芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202023341336.4 | 申請日： | 2020-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN213988907U | 公開（公告）日： | 2021-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊彥偉;鄒顏;劉宏亮;張續(xù)朋 | 申請（專利權(quán)）人： | 芯思杰技術(shù)（深圳）股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/103 | 分類號： | H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳智匯遠見知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44481 | 代理人： | 艾青;牛悅涵 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電 芯片 | ||
本實用新型涉及光電探測技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種光電芯片。光電芯片包括圓形光敏面，所述圓形光敏面包括同心設(shè)置的內(nèi)圓探測區(qū)域和外環(huán)探測區(qū)域，所述內(nèi)圓探測區(qū)域分為多個獨立的內(nèi)圓區(qū)域，所述外環(huán)探測區(qū)域分為多個獨立的外環(huán)區(qū)域；所述外環(huán)探測區(qū)域環(huán)繞所述內(nèi)圓探測區(qū)域。這樣，通過將圓形光敏面劃分為多個外環(huán)區(qū)域和多個內(nèi)圓區(qū)域，多個區(qū)域分別進行獨立探測，從而有效地增加了對入射光斑位置的探測精度，進而有效地避免了對激光位置跟蹤造成的誤判。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及光電探測技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光電芯片。
背景技術(shù)
通常的光探測器光電芯片只有一個光探測區(qū)域。如圖1所示，由于整個光探測區(qū)域的探測效率是一樣的，所以只有一個光探測區(qū)域的結(jié)構(gòu)僅能對接收激光的光斑功率進行探測，而不能對所探測激光的光斑位置進行判斷，從而進行激光跟蹤制導(dǎo)。
現(xiàn)有技術(shù)中公開了一種四象限的光電芯片。如圖2所示，在四象限的光電芯片中，光電芯片的光探測區(qū)域分為了四個不同的探測區(qū)域，可以在一定程度上對入射光斑的位置進行判斷。但是現(xiàn)有技術(shù)中的光電芯片依舊無法實現(xiàn)對更高激光位置的精度判斷的需求，以及更高精度的激光光功率的判斷需求。
例如，如圖3所示，當入射光斑10處于光探測區(qū)域時，該四象限的光電芯片僅能判斷入射光斑處于該象限中，而不能判斷處于該象限中的具體位置，這對于激光跟蹤制導(dǎo)仍然存在誤判的可能。
實用新型內(nèi)容
為了解決光電芯片能夠準確地判斷入射光斑的具體位置的技術(shù)問題，本實用新型提供了一種光電芯片。
第一方面，本實用新型提供一種光電芯片，利用上述的光電芯片的制備方法制備形成；所述光電芯片包括圓形光敏面，所述圓形光敏面包括同心設(shè)置的內(nèi)圓探測區(qū)域和外環(huán)探測區(qū)域，所述內(nèi)圓探測區(qū)域分為多個獨立的內(nèi)圓區(qū)域，所述外環(huán)探測區(qū)域分為多個獨立的外環(huán)區(qū)域；所述外環(huán)探測區(qū)域環(huán)繞所述內(nèi)圓探測區(qū)域。
可選地，兩個相鄰的所述內(nèi)圓區(qū)域的間隔與兩個相鄰的所述外環(huán)區(qū)域的間隔彼此錯開。
可選地，所述內(nèi)圓探測區(qū)域包括四個獨立的內(nèi)圓區(qū)域，所述外環(huán)探測區(qū)域包括四個獨立的外環(huán)區(qū)域。
可選地，相鄰兩個所述內(nèi)圓區(qū)域之間的間隔間距為h1，h1的取值范圍為1um＜h1＜50um。
可選地，相鄰兩個所述外環(huán)區(qū)域之間的間隔間距為h2，h2的取值范圍為1um＜h2＜50um。
本實用新型實施例提供的上述技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點：
本實用新型實施例提供的光電芯片，通過將圓形光敏面劃分為多個外環(huán)區(qū)域和多個內(nèi)圓區(qū)域，多個外環(huán)區(qū)域和多個內(nèi)圓區(qū)域分別進行獨立的探測，從而有效地增加了對入射光斑位置的探測精度，進而有效地避免了對激光位置跟蹤造成的誤判。
附圖說明
此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本實用新型的實施例，并與說明書一起用于解釋本實用新型的原理。
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
附圖中：
圖1是常規(guī)光電芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是四象限光電芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3是四象限光電芯片的光斑入射位置示意圖；
圖4至圖12是光電芯片的制備方法的操作示意圖；
圖13和圖14是本實用新型實施例提供的光電芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖標記：
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
