[實用新型]光電芯片有效
| 申請號: | 202023341336.4 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN213988907U | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發明(設計)人: | 楊彥偉;鄒顏;劉宏亮;張續朋 | 申請(專利權)人: | 芯思杰技術(深圳)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/103 | 分類號: | H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481 | 代理人: | 艾青;牛悅涵 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 芯片 | ||
1.一種光電芯片,其特征在于,所述光電芯片包括圓形光敏面,所述圓形光敏面包括同心設置的內圓探測區域和外環探測區域,所述內圓探測區域分為多個獨立的內圓區域,所述外環探測區域分為多個獨立的外環區域;所述外環探測區域環繞所述內圓探測區域。
2.根據權利要求1所述的光電芯片,其特征在于,兩個相鄰的所述內圓區域的間隔與兩個相鄰的所述外環區域的間隔彼此錯開。
3.根據權利要求1所述的光電芯片,其特征在于,所述內圓探測區域包括四個獨立的內圓區域,所述外環探測區域包括四個獨立的外環區域。
4.根據權利要求1所述的光電芯片,其特征在于,相鄰兩個所述內圓區域之間的間隔間距為h1,h1的取值范圍為1um<h1<50um。
5.根據權利要求1所述的光電芯片,其特征在于,相鄰兩個所述外環區域之間的間隔間距為h2,h2的取值范圍為1um<h2<50um。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





