[實用新型]一種濕法用承液槽體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202023340708.1 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN213936133U | 公開(公告)日: | 2021-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫嘉藝;鄧信甫;國天增;劉大威;陳丁堃 | 申請(專利權(quán))人: | 上海至純潔凈系統(tǒng)科技股份有限公司;至微半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京沁優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11684 | 代理人: | 劉富艷 |
| 地址: | 200000 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 濕法 用承液槽體 | ||
本實用新型涉及半導體濕法工藝領(lǐng)域,公開了一種濕法用承液槽體,其技術(shù)方案要點是包括槽體,槽體設(shè)置容納空間內(nèi),槽體底壁面上開設(shè)有連接孔,連接孔用以與排液管相互連通,槽體內(nèi)水平設(shè)置有橫板,通過設(shè)置的橫板能夠?qū)⒉垠w分隔為第一容納空間和第二容納空間,通過設(shè)置的第一導流部和第二導流部能夠?qū)⒁后w導向連接孔,當液體進入槽體后,接觸到槽體的側(cè)壁后濺射到導向塊上,通過設(shè)置的導向塊上的第一引流面能夠?qū)⒁后w導向第一導流孔,通過設(shè)置的導向塊上的第二引流面能夠?qū)⒁后w導向第二導流孔,從而避免液體濺出槽體,通過設(shè)置的第一導流孔能夠?qū)⒁后w導向第一導流部,通過設(shè)置的第二導流孔能夠?qū)⒁后w導向第二導流部。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導體濕法工藝領(lǐng)域領(lǐng)域,更具體的說是涉及一種濕法用承液槽體。
背景技術(shù)
在半導體濕法工藝領(lǐng)域,藉由晶園傳輸機構(gòu)如機械手系統(tǒng)將單片、批量式晶圓或著裝載晶圓的晶圓盒(花籃)在濕法工藝區(qū)間進行傳遞輸送,其晶圓完成濕法工藝區(qū)間需要進行清洗的動作,而后進行晶圓干燥,在完整的晶圓濕法工藝強調(diào)對表面潔凈度與降低單位面積下顆粒度的呈現(xiàn),然在晶圓傳遞的過程,其最后進入晶圓干燥的步驟,一旦環(huán)境操作條件無法達到良好的控制,易使前段濕法工藝的清潔度無效而產(chǎn)生交叉污染,與表面潔凈度下降以及顆粒數(shù)增加的問題產(chǎn)生;
在濕法工藝設(shè)備的清洗工藝區(qū)端與晶圓干燥模組區(qū)中,晶圓經(jīng)過清洗過后進入晶圓干燥模組過程中,晶圓干燥模組包括外槽體和內(nèi)槽體,內(nèi)槽體設(shè)置在外槽體內(nèi),內(nèi)槽體外側(cè)壁與內(nèi)槽體內(nèi)側(cè)壁之間形成有容納空間,容納空間內(nèi)設(shè)置有收集槽,為了避免機械手臂的夾臂所夾帶的液體溢流進入內(nèi)槽體從而造成干燥后的晶圓再次沾到水汽,造成對晶圓的二次污染,通常通過導向板將液體導向收集槽內(nèi),再通過排液管排出,一般收集槽的底壁面與側(cè)壁面相互垂直,當液體被導向收集槽接觸到收集槽底壁面后容易產(chǎn)生飛濺,液體存在從收集槽內(nèi)濺出的可能。
實用新型內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本實用新型的目的在于提供一種濕法用承液槽體,用于避免液體進入收集槽后濺出。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供了如下技術(shù)方案:
一種濕法用承液槽體,包括槽體,所述槽體設(shè)置容納空間內(nèi),所述槽體底壁面上開設(shè)有連接孔,所述連接孔用以與排液管相互連通,所述槽體內(nèi)水平設(shè)置有橫板,所述橫板將所述槽體分割成第一容納腔和第二容納腔,所述第一容納腔位于所述第二容納腔上方,所述槽體相對的兩內(nèi)側(cè)面上分別設(shè)置有第一導流部和第二導流部,且所述第一導流部與所述第二導流部均位于所述第二容納腔內(nèi),所述第一導流部和所述第二導流部均用以將液體導向所述連接孔,所述橫板上開設(shè)有第一導流孔和第二導流孔,所述第一導流孔與所述第一導流部位于同一側(cè),所述第二導流孔與所述第二導流部位于同一側(cè),所述橫板頂面上設(shè)置有導向塊,所述導向塊上包括第一引流面和第二引流面,所述第一引流面用以將液體導向所述第一導流孔,所述第二引流面用以將液體導向所述第二導流孔,液體通過所述第一導流孔流向所述第一導流部,液體通孔所述第二導流孔流向所述第二導流部,通過設(shè)置的橫板能夠?qū)⒉垠w分隔為第一容納空間和第二容納空間,通過設(shè)置的第一導流部和第二導流部能夠?qū)⒁后w導向連接孔,當液體進入槽體后,接觸到槽體的側(cè)壁后濺射到導向塊上,通過設(shè)置的導向塊上的第一引流面能夠?qū)⒁后w導向第一導流孔,通過設(shè)置的導向塊上的第二引流面能夠?qū)⒁后w導向第二導流孔,從而避免液體濺出槽體,通過設(shè)置的第一導流孔能夠?qū)⒁后w導向第一導流部,通過設(shè)置的第二導流孔能夠?qū)⒁后w導向第二導流部。
在本實用新型中,優(yōu)選的,所述第一導流部包括傾斜設(shè)置的第一導流板,所述第二導流部包括傾斜設(shè)置的第二導流板,所述第一導流板頂部與所述第二導流板頂部之間的距離大于所述第一導流板底部與所述第二導流板底部之間的距離。
在本實用新型中,優(yōu)選的,所述第一導流板和所述第二導流板上均開設(shè)有若干個導流槽,所述導流槽用以將液體導向所述連接孔。
在本實用新型中,優(yōu)選的,所述第一導流板上每相鄰的兩個所述導流槽之間的間距相同,所述第二導流板上每相鄰的兩個所述導流槽之間的間距相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





