[實(shí)用新型]干蝕刻裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023337409.2
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN213660361U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭軍;歐鳳;權(quán)亞平;葉明軍;張洋銘;王運(yùn)均
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 黃溪;劉芳

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N干蝕刻裝置。本申請(qǐng)?zhí)峁┑母晌g刻裝置用于對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，該干蝕刻裝置包括第一電極和保護(hù)框，保護(hù)框圍設(shè)在第一電極的周向邊緣，保護(hù)框與第一電極之間具有間隙，保護(hù)框具有內(nèi)腔，內(nèi)腔用于容納加熱體或者加熱介質(zhì)，加熱體或者加熱介質(zhì)可以通入內(nèi)腔中，以對(duì)保護(hù)框進(jìn)行加熱，從而避免工藝廢氣在間隙內(nèi)沉積，保證顯示面板的品質(zhì)不受影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種干蝕刻裝置。

背景技術(shù)

平面顯示器件的陣列基板通常由層疊設(shè)置的電器層、絕緣層、保護(hù)層等多個(gè)膜層組成，在生產(chǎn)制造時(shí)，不同的膜層需要通過(guò)曝光、蝕刻等多個(gè)工藝步驟形成對(duì)應(yīng)的圖形形狀，其中，蝕刻工藝通常由蝕刻裝置完成，常用的蝕刻工藝包括干蝕刻、濕蝕刻等。

現(xiàn)有技術(shù)中，干蝕刻主要是通過(guò)將特定的氣體置于電場(chǎng)中，將其激發(fā)為由電子、正離子、自由基等組成的電漿，由此對(duì)特定膜層進(jìn)行化學(xué)性蝕刻或離子轟擊，以去除膜層并形成相應(yīng)的圖形，干蝕刻裝置通常包括上下兩塊電極，需要進(jìn)行蝕刻的陣列基板置于下電極上方，上電極位于陣列基板的上方，在電極的四周通常圍設(shè)有保護(hù)框，保護(hù)框與電極之間具有間隙，在干蝕刻工藝過(guò)程中，進(jìn)行蝕刻反應(yīng)所產(chǎn)生的廢氣會(huì)進(jìn)入保護(hù)框與電極之間的間隙。

然而，現(xiàn)有的干蝕刻設(shè)備在工藝過(guò)程中產(chǎn)生的廢氣容易吸附沉積在保護(hù)框與電極之間的間隙內(nèi)，形成細(xì)小的顆粒，影響顯示面板的品質(zhì)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N干蝕刻裝置，可以避免工藝工程中的廢氣在電極與保護(hù)框之間吸附沉積形成細(xì)小顆粒，從而保證顯示面板具有良好的品質(zhì)。

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N干蝕刻裝置，用于對(duì)基板進(jìn)行蝕刻，該干蝕刻裝置包括第一電極和保護(hù)框，保護(hù)框圍設(shè)在第一電極的周向邊緣，保護(hù)框與第一電極之間具有間隙，第一電極用于在基板的上方形成電場(chǎng)。

其中，保護(hù)框具有內(nèi)腔，內(nèi)腔用于容納加熱體或者加熱介質(zhì)，加熱體或者加熱介質(zhì)可以通入內(nèi)腔中，以對(duì)保護(hù)框進(jìn)行加熱，從而阻止蝕刻產(chǎn)生的廢氣在第一電極與保護(hù)框之間的間隙內(nèi)沉積。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑母晌g刻裝置在對(duì)基板進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻工藝過(guò)程中會(huì)有工藝廢氣產(chǎn)生并流動(dòng)至第一電極與保護(hù)框之間的間隙內(nèi)，通過(guò)利用加熱體或加熱介質(zhì)對(duì)第一電極外側(cè)邊緣的保護(hù)框進(jìn)行加熱，可以使得第一電極與保護(hù)框之間的間隙內(nèi)的環(huán)境維持在一個(gè)合適的溫度，避免廢氣在該間隙內(nèi)沉積，保證了干蝕刻工藝過(guò)程的制造環(huán)境的清潔，從而避免最終生產(chǎn)的顯示面板的品質(zhì)受到影響。

作為一種可選的實(shí)施方式，保護(hù)框的內(nèi)腔沿保護(hù)框的長(zhǎng)度方向延伸。如此設(shè)置，加熱體可以將熱量傳遞至保護(hù)框長(zhǎng)度方向的各個(gè)位置，從而可以將第一電極與保護(hù)框的周向間隙的各個(gè)位置都維持在合適的溫度。

作為另一種可選的實(shí)施方式，本申請(qǐng)?zhí)峁┑母晌g刻裝置還可以包括第一加熱組件，第一加熱組件包括加熱元件，加熱元件設(shè)置在保護(hù)框的內(nèi)腔中，并沿內(nèi)腔的長(zhǎng)度方向延伸。如此設(shè)置，加熱元件可以將熱量傳遞給保護(hù)框的各個(gè)位置，從而維持保護(hù)框上各個(gè)位置溫度的均衡性。

作為一種可選的實(shí)施方式，加熱元件可以與保護(hù)框的內(nèi)腔的內(nèi)壁抵接，加熱元件可以為電阻絲或電阻片。如此設(shè)置，可以提高加熱元件與保護(hù)框之間的傳熱效率，從而一方面在工藝過(guò)程中可以提高第一電極與保護(hù)框之間的間隙內(nèi)氣體的升溫效率，另一方面可以降低能耗。

作為一種可選的實(shí)施方式，本申請(qǐng)?zhí)峁┑母晌g刻裝置還可以包括第二加熱組件，第二加熱組件可以包括加熱介質(zhì)發(fā)生器，加熱介質(zhì)發(fā)生器和內(nèi)腔連通，并用于向內(nèi)腔中通入加熱介質(zhì)，以使加熱介質(zhì)可以在保護(hù)框的內(nèi)腔中流動(dòng)。如此設(shè)置，溫度較高的加熱介質(zhì)可以對(duì)保護(hù)框進(jìn)行加熱，以使保護(hù)框位置在一個(gè)預(yù)設(shè)溫度。

作為一種可選的實(shí)施方式，加熱介質(zhì)可以為水蒸氣，而保護(hù)框上的可以設(shè)置有兩個(gè)開(kāi)口，水蒸氣可以由這兩個(gè)開(kāi)口流入和流出。如此設(shè)置，可以實(shí)現(xiàn)水蒸氣在保護(hù)框內(nèi)腔中的循環(huán)流動(dòng)，從而維持保護(hù)框上各個(gè)位置溫度的均衡性。