[實用新型]干蝕刻裝置有效
| 申請號: | 202023337409.2 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN213660361U | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 彭軍;歐鳳;權亞平;葉明軍;張洋銘;王運均 | 申請(專利權)人: | 成都中電熊貓顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 黃溪;劉芳 |
| 地址: | 610200 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 裝置 | ||
1.一種干蝕刻裝置,用于對基板進行蝕刻,其特征在于,包括第一電極和保護框,所述保護框圍設在所述第一電極的周向邊緣,所述保護框與所述第一電極之間具有間隙,所述第一電極用于在所述基板上方形成電場;
所述保護框具有內腔,所述內腔用于容納加熱體或者加熱介質,以使所述加熱體或者加熱介質通入所述內腔中,從而對所述保護框進行加熱。
2.根據權利要求1所述的干蝕刻裝置,其特征在于,所述內腔沿所述保護框的長度方向延伸。
3.根據權利要求2所述的干蝕刻裝置,其特征在于,還包括第一加熱組件,所述第一加熱組件包括加熱元件,所述加熱元件設置在所述內腔中并形成所述加熱體,所述加熱元件沿所述內腔的長度方向延伸。
4.根據權利要求3所述的干蝕刻裝置,其特征在于,所述加熱元件與所述內腔的內壁抵接。
5.根據權利要求3所述的干蝕刻裝置,其特征在于,所述加熱元件為電阻絲或電阻片。
6.根據權利要求2所述的干蝕刻裝置,其特征在于,還包括第二加熱組件,所述第二加熱組件包括加熱介質發生器,所述加熱介質發生器和所述內腔連通,并用于向所述內腔中通入所述加熱介質。
7.根據權利要求6所述的干蝕刻裝置,其特征在于,所述第二加熱組件還包括連通管,所述連通管位于所述內腔中,且所述連通管的外壁和所述內腔腔壁接觸,所述加熱介質發生器和所述連通管連通,以向所述連通管內通入所述加熱介質。
8.根據權利要求1-7任一項所述的干蝕刻裝置,其特征在于,所述保護框包括多個保護段,多個所述保護段沿所述第一電極的外緣間隔設置。
9.根據權利要求8所述的干蝕刻裝置,其特征在于,多個所述保護段分別位于所述第一電極的不同側。
10.根據權利要求1-7任一項所述的干蝕刻裝置,其特征在于,還包括第二電極,所述第二電極與所述第一電極相對設置,所述基板位于所述第一電極與所述第二電極之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





