[實用新型]一種原子層沉積設備

有效

• 申請號: 202023325758.2
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN214060636U
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 杭州奧創知識產權代理有限公司 33272
• 代理人: 楊文華

1.一種原子層沉積設備，其特征在于，包括主控制器、反應腔體、通氣調節回路以及管路疏通氣路，所述通氣調節回路包括真空抽氣裝置、氣壓監測裝置、第一節流閥以及多個源瓶，第一節流閥的進氣端與氮氣源連通，在反應腔體上設置主通氣管，氣壓監測裝置設置在主通氣管上，每個源瓶分別通過單獨設置的支通氣管與主通氣管相連通，在每個支通氣管上分別設置源瓶閥，真空抽氣裝置通過設置的真空管路與主通氣管連通，第一節流閥通過設置的氮氣管路與主通氣管連通，在氮氣管路上設置氮氣閥；所述管路疏通氣路包括壓縮氣源和第二節流閥，第二節流閥的進氣端與壓縮氣源連通，第二節流閥通過設置的壓縮氣管分別與各個支通氣管相連通，在壓縮氣管上設置壓縮氣閥。

2.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其特征在于，所述主控制器包括控制原子層沉積設備的控制軟件及操作界面。

3.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其特征在于，在所述反應腔體上分別設置腔體加熱裝置和腔體溫度監測裝置。

4.如權利要求1所述的原子層沉積設備，其特征在于，在每個所述源瓶上分別設置源瓶加熱裝置和源瓶溫度監測裝置。