[實用新型]一種原子層沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202023325758.2
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN214060636U
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州纖納光電科技有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 杭州奧創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33272
• 代理人: 楊文華

本實用新型涉及一種原子層沉積設(shè)備，包括主控制器、反應(yīng)腔體、通氣調(diào)節(jié)回路以及管路疏通氣路，所述通氣調(diào)節(jié)回路包括真空抽氣裝置、氣壓監(jiān)測裝置、第一節(jié)流閥以及多個源瓶，第一節(jié)流閥的進(jìn)氣端與氮氣源連通，在反應(yīng)腔體上設(shè)置主通氣管，氣壓監(jiān)測裝置設(shè)置在主通氣管上，每個源瓶分別通過單獨設(shè)置的支通氣管與主通氣管相連通，在每個支通氣管上分別設(shè)置源瓶閥，第一節(jié)流閥通過設(shè)置的氮氣管路與主通氣管連通；所述管路疏通氣路包括壓縮氣源和第二節(jié)流閥，第二節(jié)流閥通過設(shè)置的壓縮氣管分別與各個支通氣管相連通，在壓縮氣管上設(shè)置壓縮氣閥。本實用新型帶有管路疏通裝置，解決了管路堵塞問題，降低了設(shè)備維護(hù)成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種原子層沉積設(shè)備。

背景技術(shù)

單原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)是一種常用的鍍膜方法，可沉積各類氧化物、金屬氮化物等，由于沉積膜層以單層形式生長，生長薄膜致密，可控性好，在先進(jìn)晶體管、存儲器件和互連應(yīng)用中制造超薄薄膜層中應(yīng)用較廣。

為了精確控制沉積膜層的單層生長，原子層沉積的管道和氣路一般比較狹窄，當(dāng)工藝溫度較低或反應(yīng)前驅(qū)體比例失調(diào)時，反應(yīng)前驅(qū)體在傳遞過程中很容易發(fā)生不完全反應(yīng)，或在未到達(dá)反應(yīng)基底前直接沉積在管路中使管路發(fā)生堵塞現(xiàn)象，影響實驗的正常進(jìn)行，長期堆積的反應(yīng)物最終還會導(dǎo)致ALD電磁閥和源瓶閥門造成損壞，更換新配件的成本非常昂貴。目前解決ALD設(shè)備管路堵塞問題的主要方法是將反應(yīng)源瓶卸下，使用空氣脈沖管路，對管路進(jìn)行疏通。這種操作有以下幾個問題：1.每次操作時需要更換新的源瓶密封墊圈，密封墊圈價格昂貴，增加了設(shè)備的維護(hù)成本。2.將空氣中的水汽和雜質(zhì)帶入管路中，污染了管路純凈的環(huán)境，對原子層沉積反應(yīng)的成膜狀態(tài)有很大影響。3.無法精確控制脈沖壓力氣，極易引起精密的ALD電控閥門受壓過大發(fā)生變形，無法隨著電信號正常開關(guān)，加速了設(shè)備的損壞。

實用新型內(nèi)容

本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種原子層沉積設(shè)備，帶有管路疏通裝置，解決了低溫原子層沉積工藝遇到的管路堵塞問題，降低了設(shè)備維護(hù)成本。

本實用新型是這樣實現(xiàn)的，提供一種原子層沉積設(shè)備，包括主控制器、反應(yīng)腔體、通氣調(diào)節(jié)回路以及管路疏通氣路，所述通氣調(diào)節(jié)回路包括真空抽氣裝置、氣壓監(jiān)測裝置、第一節(jié)流閥以及多個源瓶，第一節(jié)流閥的進(jìn)氣端與氮氣源連通，在反應(yīng)腔體上設(shè)置主通氣管，氣壓監(jiān)測裝置設(shè)置在主通氣管上，每個源瓶分別通過單獨設(shè)置的支通氣管與主通氣管相連通，在每個支通氣管上分別設(shè)置源瓶閥，真空抽氣裝置通過設(shè)置的真空管路與主通氣管連通，第一節(jié)流閥通過設(shè)置的氮氣管路與主通氣管連通，在氮氣管路上設(shè)置氮氣閥；所述管路疏通氣路包括壓縮氣源和第二節(jié)流閥，第二節(jié)流閥的進(jìn)氣端與壓縮氣源連通，第二節(jié)流閥通過設(shè)置的壓縮氣管分別與各個支通氣管相連通，在壓縮氣管上設(shè)置壓縮氣閥。

進(jìn)一步地，所述主控制器包括控制原子層沉積設(shè)備的控制軟件及操作界面。

進(jìn)一步地，在所述反應(yīng)腔體上分別設(shè)置腔體加熱裝置和腔體溫度監(jiān)測裝置。

進(jìn)一步地，在每個所述源瓶上分別設(shè)置源瓶加熱裝置和源瓶溫度監(jiān)測裝置。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的原子層沉積設(shè)備，在現(xiàn)有設(shè)備基礎(chǔ)上對氣路進(jìn)行改造，加裝連有壓縮空氣的管路疏通氣路以及相應(yīng)氣路的壓力控制開關(guān)裝置，可及時地檢測脈沖信號異常，發(fā)現(xiàn)異常時及時疏通管路，防止管路進(jìn)一步堵塞，提高設(shè)備的安全性。

附圖說明

圖1為本實用新型一較佳實施例的工作原理示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

請參照圖1所示，本實用新型原子層沉積設(shè)備的較佳實施例，包括主控制器1、反應(yīng)腔體2、通氣調(diào)節(jié)回路以及管路疏通氣路。