[實(shí)用新型]量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu)及成型裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202023320900.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN214705965U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方毅;李流民 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州清越光電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/50 | 分類號(hào): | H01L33/50;H01L33/44;H01L33/04;H01L33/06;G02F1/13357;C23C14/12;C23C14/04;C23C14/22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 量子 點(diǎn)膜層 結(jié)構(gòu) 成型 裝置 | ||
本實(shí)用新型屬于LED封裝技術(shù)領(lǐng)域,公開(kāi)了一種量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu)及成型裝置,其中量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu)包括:量子點(diǎn)層,包括量子點(diǎn)層上表面、量子點(diǎn)層下表面以及設(shè)置在所述量子點(diǎn)層上表面和所述量子點(diǎn)層下表面之間并沿所述量子點(diǎn)層的周向延伸的量子點(diǎn)層側(cè)表面;和第一阻隔膜,包覆所述量子點(diǎn)層上表面的周向邊緣、所述量子點(diǎn)層下表面的周向邊緣以及所述量子點(diǎn)層側(cè)表面,所述第一阻隔膜用于阻擋水和/或氧氣進(jìn)入所述量子點(diǎn)層的邊緣。對(duì)于量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu),第一阻隔膜能夠隔絕水汽和氧氣從量子點(diǎn)層邊緣進(jìn)入量子點(diǎn)層內(nèi)部,從而避免發(fā)生熒光猝滅。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu)及成型裝置。
背景技術(shù)
量子點(diǎn)(quantum dot)是一種納米級(jí)別的半導(dǎo)體,通過(guò)對(duì)這種納米半導(dǎo)體材料施加一定的電場(chǎng)或光壓,它們便會(huì)發(fā)出特定頻率的光,而發(fā)出的光的頻率會(huì)隨著這種半導(dǎo)體的尺寸的改變而變化,因而通過(guò)調(diào)節(jié)這種納米半導(dǎo)體的尺寸就可以控制其發(fā)出的光的顏色,由于這種納米半導(dǎo)體擁有限制電子和電子空穴(Electron hole)的特性,這一特性類似于自然界中的原子或分子,因而被稱為量子點(diǎn)。
量子點(diǎn)技術(shù)可令LCD在寬廣的顏色領(lǐng)域得以實(shí)現(xiàn),是4K級(jí)別畫(huà)面信息的理想技術(shù)。可大幅提升畫(huà)面影像的顏色再現(xiàn)性、色彩度、整體的明亮度等,與早期的LCD相比,顏色顯示能力高出50%的優(yōu)越度;與OLED相比,具備同等以上的顏色再現(xiàn)能力。
量子點(diǎn)膜是將量子點(diǎn)分散在樹(shù)脂材料上,由于量子點(diǎn)粒徑在1~10nm之間,比表面積非常大,雖然在表面增加隔水隔氧涂層,氧氣和水汽容易對(duì)量子點(diǎn)膜的側(cè)面產(chǎn)生破壞,導(dǎo)致熒光猝滅。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu)及成型裝置,以解決氧氣和水汽從量子點(diǎn)膜的側(cè)面侵入,導(dǎo)致熒光猝滅的問(wèn)題。
為達(dá)此目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
一種量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu),包括:
量子點(diǎn)層,包括量子點(diǎn)層上表面、量子點(diǎn)層下表面以及設(shè)置在所述量子點(diǎn)層上表面和所述量子點(diǎn)層下表面之間并沿所述量子點(diǎn)層的周向延伸的量子點(diǎn)層側(cè)表面;和
第一阻隔膜,包覆所述量子點(diǎn)層上表面的周向邊緣、所述量子點(diǎn)層下表面的周向邊緣以及所述量子點(diǎn)層側(cè)表面,所述第一阻隔膜用于阻擋水和/或氧氣進(jìn)入所述量子點(diǎn)層的邊緣。
進(jìn)一步,所述第一阻隔膜包括依次相連接的上封邊、下封邊和邊緣封邊,所述上封邊與所述量子點(diǎn)層上表面相貼附,所述下封邊與所述量子點(diǎn)層下表面相貼附,所述邊緣封邊與所述量子點(diǎn)層側(cè)表面相貼附。
進(jìn)一步,所述第一阻隔膜由氣態(tài)派瑞林沉積形成。
進(jìn)一步,所述第一阻隔膜的厚度介于0.5μm-20μm。
進(jìn)一步,所述量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu)還包括第二阻隔膜,所述第二阻隔膜將所述量子點(diǎn)層與所述第一阻隔膜完全包覆,所述第二阻隔膜用于阻隔水和/或氧氣進(jìn)入所述量子點(diǎn)層。
進(jìn)一步,所述第二阻隔膜由石墨烯和聚氨酯丙烯酸樹(shù)脂混合制成。
進(jìn)一步,所述第二阻隔膜的厚度介于5μm-100μm。
本實(shí)用新型還提供一種成型裝置,用于加工上述的量子點(diǎn)膜層結(jié)構(gòu),所述成型裝置包括:
氣相沉積室;
支撐臺(tái),用于運(yùn)輸所述量子點(diǎn)層;
兩組遮擋組件,分別設(shè)置在所述量子點(diǎn)層的上側(cè)和下側(cè),所述遮擋組件被配置為遮擋所述量子點(diǎn)層的中心區(qū)域并露出其周向邊緣;以及
噴料機(jī)構(gòu),向所述氣相沉積室內(nèi)輸入待沉積材料。
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