[實用新型]一種可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構有效
| 申請號: | 202023279801.6 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN214226888U | 公開(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發明(設計)人: | 鄧信甫;方超;劉大威;陳丁堃 | 申請(專利權)人: | 上海至純潔凈系統科技股份有限公司;至微半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67;B08B3/02 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 沈棟棟 |
| 地址: | 200241 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 適應 傳遞 廣用型晶圓 機構 | ||
1.一種可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,包括第一晶圓導片傳遞區、晶圓清洗工藝區、晶圓干燥區和第二晶圓導片傳遞區,其中,所述晶圓清洗工藝區的一側設有所述第一晶圓導片傳遞區,所述晶圓清洗工藝區的另一側依次設有所述晶圓干燥區和所述第二晶圓導片傳遞區,所述晶圓清洗工藝區內設有若干個清洗槽,所述清洗槽的上側設有用于夾持并傳遞晶圓盒的機械手。
2.如權利要求1所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,還包括機械手清洗區,所述機械手清洗區設于所述晶圓清洗工藝區與所述第一晶圓導片傳遞區之間。
3.如權利要求1所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,還包括噴氣模組和噴液模組,每一所述清洗槽的一側分別設有一所述噴液模組,每一所述清洗槽的另一側分別設有若干所述噴氣模組,且每一所述噴氣模組所在位置的高度高于所述噴液模組所在位置的高度。
4.如權利要求3所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,所述噴氣模組的噴嘴由上至下向靠近所述清洗槽的中部的方向傾斜設置。
5.如權利要求4所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,每一所述噴嘴的傾斜角度均為45°~75°。
6.如權利要求1所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,每一所述清洗槽的上端面均為齒狀結構。
7.如權利要求4所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,若干所述噴嘴呈矩形陣列。
8.如權利要求1所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,還包括供液裝置,每一所述清洗槽的下側內壁上分別設有一所述供液裝置。
9.如權利要求1所述的可適應于晶圓傳遞的廣用型晶圓傳遞機構,其特征在于,還包括入貨窗口備載區,其中,所述第一晶圓導片傳遞區的一側設有所述入貨窗口備載區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





