[實用新型]一種發光二極管芯片、背板、顯示面板有效
| 申請號: | 202023272865.3 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN213878129U | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 李小丁 | 申請(專利權)人: | 深圳市辰中科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/06 | 分類號: | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林凡燕 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區香蜜湖街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 芯片 背板 顯示 面板 | ||
本實用新型提出一種發光二極管芯片及其應用的背板、顯示面板,包括:襯底;外延層,位于所述襯底上,所述外延層包括第一半導體層,發光層和第二半導體層;電流擴展層,位于所述第二半導體層上;凹槽,位于所述襯底上,暴露出所述第一半導體層;絕緣層,位于所述電流擴展層上,所述絕緣層包括一開口,所述開口位于所述凹槽的一側,所述開口暴露出所述電流擴展層,所述開口的寬度大于所述凹槽的頂部的寬度;第一電極,位于所述凹槽內,所述第一電極與所述第一半導體層接觸;第二電極,位于所述開口內,所述第二電極與所述電流擴展層接觸。本實用新型提出的發光二極管芯片可以提高發光二極管芯片的發光穩定性。
技術領域
本實用新型涉及半導體技術領域,特別涉及一種發光二極管芯片及其應用的背板、顯示面板。
背景技術
LED因具有色純度高、響應速度快、體積小、可靠性好、壽命長、環保等優點,無疑成為最受重視的光源技術,隨著技術的發展,高像素屏要求越顯突出,對尺寸芯片提出更高要求的。根據TrendForce發布的2018年科技產業發展趨勢中指出,由于Mini LED技術可搭配軟性基板,達成高曲面背光的形式,將有機會使用在手機、電視、車載面板等多種應用上。
現有水平結構LED生產工藝來制備Mini LED,就會導致Mini LED結構的亮度低,能耗高和散熱性能差,進而導致影響發光二極管的性能和熱穩定性。另外,現有水平結構LED生產工藝步驟多,產出效率低,制備工藝復雜,這些都將導致目前Mini LED的良率偏低和成本偏高,限制著其大規模量產,因此,芯片本身的設計及制備工藝在Mini LED尺寸上亦需要更多的優化。
實用新型內容
鑒于上述現有技術的缺陷,本實用新型提出一種發光二極管芯片及其應用的背板、顯示面板,該發光二極管芯片可以提高生產良率,增加生產規模,改善漏電情況。
為實現上述目的及其他目的,本實用新型提出一種發光二極管芯片,包括:
襯底;
外延層,位于所述襯底上,所述外延層包括第一半導體層,發光層和第二半導體層;
電流擴展層,位于所述第二半導體層上;
凹槽,位于所述襯底上,暴露出所述第一半導體層;
絕緣層,位于所述電流擴展層上,所述絕緣層包括一開口,所述開口位于所述凹槽的一側,所述開口暴露出所述電流擴展層,所述開口的寬度大于所述凹槽的頂部的寬度;
第一電極,位于所述凹槽內,所述第一電極與所述第一半導體層接觸;
第二電極,位于所述開口內,所述第二電極與所述電流擴展層接觸。
進一步地,所述第一半導體層位于所述襯底上,所述發光層位于所述第一半導體層上,所述第二半導體層位于所述發光層上。
進一步地,所述第一半導體層包括N型半導體層,所述第二半導體層包括P型半導體層。
進一步地,所述絕緣層還位于所述凹槽的側壁上。
進一步地,所述第一電極凸出于所述凹槽,且所述第一電極頂部的寬度大于所述凹槽頂部的寬度。
進一步地,所述凹槽的頂部的寬度大于所述凹槽的底部的寬度。
進一步地,所述第一半導體層的厚度在3-4μm之間。
進一步地,所述第二半導體層的厚度在2-10μm之間。
進一步地,所述電流擴展層的厚度在8-10μm之間。
進一步地,所述發光二極管芯片包括Micro LED和Mini LED。
進一步地,本實用新型還提出一種發光二極管背板,包括:
基板;
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