[實用新型]一種發光二極管芯片、背板、顯示面板

有效

• 申請號: 202023272865.3
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN213878129U
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 李小丁
• 申請（專利權）人: 深圳市辰中科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38;H01L27/15
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

1.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：

襯底；

外延層，位于所述襯底上，所述外延層包括第一半導體層，發光層和第二半導體層；

電流擴展層，位于所述第二半導體層上；

凹槽，位于所述襯底上，暴露出所述第一半導體層；

絕緣層，位于所述電流擴展層上，所述絕緣層包括一開口，所述開口位于所述凹槽的一側，所述開口暴露出所述電流擴展層，所述開口的寬度大于所述凹槽的頂部的寬度；

第一電極，位于所述凹槽內，所述第一電極與所述第一半導體層接觸；

第二電極，位于所述開口內，所述第二電極與所述電流擴展層接觸；

其中，所述第一電極凸出于所述凹槽，且所述第一電極頂部的寬度大于所述凹槽頂部的寬度；

其中，所述凹槽的頂部的寬度大于所述凹槽的底部的寬度。

2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一半導體層位于所述襯底上，所述發光層位于所述第一半導體層上，所述第二半導體層位于所述發光層上。

3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一半導體層包括N型半導體層，所述第二半導體層包括P型半導體層。

4.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述絕緣層還位于所述凹槽的側壁上。

5.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第一半導體層的厚度在3-4μm之間。

6.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述第二半導體層的厚度在2-10μm之間。

7.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述電流擴展層的厚度在8-10μm之間。

8.根據權利要求1所述的發光二極管芯片，其特征在于，所述發光二極管芯片包括Micro LED或Mini LED。

9.一種發光二極管背板，其特征在于，包括：

基板；

多個發光二極管芯片，設置在所述基板上，所述發光二極管芯片包括；

襯底；

外延層，位于所述襯底上，所述外延層包括第一半導體層，發光層和第二半導體層；

電流擴展層，位于所述第二半導體層上；

凹槽，位于所述襯底上，暴露出所述第一半導體層；

絕緣層，位于所述電流擴展層上，所述絕緣層包括一開口，所述開口位于所述凹槽的一側，所述開口暴露出所述電流擴展層，所述開口的寬度大于所述凹槽的頂部的寬度；

第一電極，位于所述凹槽內，所述第一電極與所述第一半導體層接觸；

第二電極，位于所述開口內，所述第二電極與所述電流擴展層接觸；

其中，所述第一電極凸出于所述凹槽，且所述第一電極頂部的寬度大于所述凹槽頂部的寬度；

其中，所述凹槽的頂部的寬度大于所述凹槽的底部的寬度。

10.一種發光二極管顯示面板，其特征在于，包括：

電路板；

多個發光二極管芯片，設置在所述電路板上，

顯示單元，設置在所述發光二極管芯片的出光方向上，所述發光二極管芯片包括；

襯底；

外延層，位于所述襯底上，所述外延層包括第一半導體層，發光層和第二半導體層；

電流擴展層，位于所述第二半導體層上；

凹槽，位于所述襯底上，暴露出所述第一半導體層；

絕緣層，位于所述電流擴展層上，所述絕緣層包括一開口，所述開口位于所述凹槽的一側，所述開口暴露出所述電流擴展層，所述開口的寬度大于所述凹槽的頂部的寬度；

第一電極，位于所述凹槽內，所述第一電極與所述第一半導體層接觸；

第二電極，位于所述開口內，所述第二電極與所述電流擴展層接觸；

其中，所述第一電極凸出于所述凹槽，且所述第一電極頂部的寬度大于所述凹槽頂部的寬度；

其中，所述凹槽的頂部的寬度大于所述凹槽的底部的寬度。