[實用新型]一種發光二極管芯片及其應用的背板、液晶顯示器有效
| 申請號: | 202023272842.2 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN213878095U | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 李小丁 | 申請(專利權)人: | 深圳市辰中科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14;G02F1/13357 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 林凡燕 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市福田區香蜜湖街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發光二極管 芯片 及其 應用 背板 液晶顯示器 | ||
本實用新型提出一種發光二極管芯片及其應用的背板、液晶顯示器,包括:襯底,包括相對設置的第一表面和第二表面;反射層,位于所述襯底的所述第一表面上;外延層,位于所述反射層上,其中所述外延層包括第一半導體層,發光層和第二半導體層;第二電極,位于所述第二半導體層;第一電極,位于所述襯底的所述第二表面上;其中,所述反射層包括第一材料層和第二材料層,所述第一材料層的折射率小于第二材料層的折射率;其中,所述第二半導體層上包括圖案化結構,所述圖案化結構包括微結構。本實用新型提出的發光二極管芯片可以提高出光效率。
技術領域
本實用新型涉及半導體技術領域,特別涉及一種發光二極管芯片及其應用的背板、液晶顯示器。
背景技術
LED因具有色純度高、響應速度快、體積小、可靠性好、壽命長、環保等優點,無疑成為最受重視的光源技術,隨著技術的發展,高像素屏要求越顯突出,對尺寸芯片提出更高要求的。根據TrendForce發布的2018年科技產業發展趨勢中指出,由于Mini LED技術可搭配軟性基板,達成高曲面背光的形式,將有機會使用在手機、電視、車載面板等多種應用上。
近年來,隨著半導體照明的不斷深入發展,發光二極管(LED)以其高電光轉換效率和綠色環保的優勢受到越來越廣泛的關注。半導體照明產品中的核心組成部分是LED芯片,其研究與生產技術有了飛速的發展,芯片亮度和可靠性不斷提高。在LED芯片的研發和生產過程中,其出光效率直接影響LED的發光性能。因此,提高LED的出光效率成為技術人員關注的焦點。
實用新型內容
鑒于上述現有技術的缺陷,本實用新型提出一種發光二極管芯片,該發光二極管芯片可以具有更高的出光效率,從而可以提高背板和顯示面板的性能。
為實現上述目的及其他目的,本實用新型提出一種發光二極管芯片,包括:
襯底,包括相對設置的第一表面和第二表面;
反射層,位于所述襯底的所述第一表面上;
外延層,位于所述反射層上,其中所述外延層包括第一半導體層,發光層和第二半導體層;
第二電極,位于所述第二半導體層;
第一電極,位于所述襯底的所述第二表面上;
其中,所述反射層包括第一材料層和第二材料層,所述第一材料層的折射率小于第二材料層的折射率;
其中,所述第二半導體層上包括圖案化結構,所述圖案化結構包括微結構。
進一步地,所述第一材料層位于所述第二材料層上,所述第二材料層的厚度等于所述第一材料層的厚度。
進一步地,在所述反射層和所述外延層之間還包括電流擴散層。
進一步地,所述第一半導體層為N型半導體層,所述第二半導體層為P型半導體層。
進一步地,所述發光層包括交替生長的阱層和壘層。
進一步地,所述阱層和所述壘層的總層數為40-50層。
進一步地,所述第二電極覆蓋部分所述第二半導體層。
進一步地,所述第一電極和所述第二電極包括金屬層疊結構。
進一步地,所述襯底為導電介質。
進一步地,所述圖案化結構包括規則圖案化結構。
進一步地,本實用新型還提出一種發光二極管背板,包括:
基板;
多個發光二極管芯片,設置在所述基板上,所述發光二極管芯片包括:
襯底,包括相對設置的第一表面和第二表面;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市辰中科技有限公司,未經深圳市辰中科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202023272842.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種直下式背光模組
- 下一篇:一種用于數學思維訓練的數學教具
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





