[實(shí)用新型]一種發(fā)光二極管芯片及其應(yīng)用的背板、液晶顯示器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023272842.2
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN213878095U
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李小丁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市辰中科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14;G02F1/13357
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，包括：

襯底，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；

反射層，位于所述襯底的所述第一表面上；

外延層，位于所述反射層上，其中所述外延層包括第一半導(dǎo)體層，發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

第二電極，位于所述第二半導(dǎo)體層；

第一電極，位于所述襯底的所述第二表面上；

其中，所述反射層包括第一材料層和第二材料層，所述第一材料層的折射率小于第二材料層的折射率；

其中，所述第二半導(dǎo)體層上包括圖案化結(jié)構(gòu)，所述圖案化結(jié)構(gòu)包括微結(jié)構(gòu)；

其中，所述發(fā)光層包括交替生長(zhǎng)的阱層和壘層，所述阱層和所述壘層的總層數(shù)為40-50層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一材料層位于所述第二材料層上，所述第二材料層的厚度等于所述第一材料層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，在所述反射層和所述外延層之間還包括電流擴(kuò)散層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第二電極覆蓋部分所述第二半導(dǎo)體層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極包括金屬層疊結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述襯底為導(dǎo)電介質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述圖案化結(jié)構(gòu)包括規(guī)則圖案化結(jié)構(gòu)。

9.一種發(fā)光二極管背板，其特征在于，包括：

基板；

多個(gè)發(fā)光二極管芯片，設(shè)置在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片包括：

襯底，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；

反射層，位于所述襯底的所述第一表面上；

外延層，位于所述反射層上，其中所述外延層包括第一半導(dǎo)體層，發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

第二電極，位于所述第二半導(dǎo)體層；

第一電極，位于所述襯底的所述第二表面上；

其中，所述反射層包括第一材料層和第二材料層，所述第一材料層的折射率小于第二材料層的折射率；

其中，所述第二半導(dǎo)體層上包括圖案化結(jié)構(gòu)，所述圖案化結(jié)構(gòu)包括微結(jié)構(gòu)；

其中，所述發(fā)光層包括交替生長(zhǎng)的阱層和壘層，所述阱層和所述壘層的總層數(shù)為40-50層。

10.一種液晶顯示器，其特征在于，包括：

電路板；

多個(gè)發(fā)光二極管芯片，設(shè)置在所述電路板上，

液晶顯示面板，設(shè)置在所述發(fā)光二極管芯片的出光方向上，所述發(fā)光二極管芯片包括：

襯底，包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；

反射層，位于所述襯底的所述第一表面上；

外延層，位于所述反射層上，其中所述外延層包括第一半導(dǎo)體層，發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層；

第二電極，位于所述第二半導(dǎo)體層；

第一電極，位于所述襯底的所述第二表面上；

其中，所述反射層包括第一材料層和第二材料層，所述第一材料層的折射率小于第二材料層的折射率；

其中，所述第二半導(dǎo)體層上包括圖案化結(jié)構(gòu)，所述圖案化結(jié)構(gòu)包括微結(jié)構(gòu)；

其中，所述發(fā)光層包括交替生長(zhǎng)的阱層和壘層，所述阱層和所述壘層的總層數(shù)為40-50層。