[實(shí)用新型]一種GPIO的AC特性測(cè)試系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202023265479.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN215218988U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王博;許飛;王景華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州福瑞思信息科技有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/00 | 分類號(hào): | G01R31/00;G05B23/02 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 gpio ac 特性 測(cè)試 系統(tǒng) | ||
1.一種GPIO的AC特性測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,包括:
存儲(chǔ)器,所述存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)指令及測(cè)試條件;
控制器,根據(jù)所述指令及所述測(cè)試條件對(duì)待測(cè)MCU執(zhí)行測(cè)試;
負(fù)載電容選擇模塊,所述負(fù)載電容選擇模塊連接所述控制器,且用于提供不同大小的負(fù)載電容;以及
電源模塊,所述電源模塊連接所述控制器,且用于提供不同大小的供電電壓;
其中,所述待測(cè)MCU具有多個(gè)引腳速度不同的輸出驅(qū)動(dòng)電路,
其中,根據(jù)不同測(cè)試條件,所述控制器控制所述負(fù)載電容選擇模塊提供相應(yīng)的負(fù)載電容、控制所述電源模塊提供相應(yīng)的電壓、及控制所述待測(cè)MCU設(shè)置為相應(yīng)的引腳速度,所述待測(cè)MCU的GPIO輸出不同的波形訊號(hào),存儲(chǔ)所述不同波形訊號(hào)的相應(yīng)波形參數(shù)于存儲(chǔ)器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述波形參數(shù)包括上升時(shí)間Tr、下降時(shí)間Tf、頻率1/T、以及占空比,當(dāng)Tr+Tf2/3T且占空比在45%~55%之間,所述頻率則為在相應(yīng)的測(cè)試條件下的所述待測(cè)MCU的GPIO最大輸出頻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,還包括波形分析儀,連接所述待測(cè)MCU的GPIO,獲取所述波形訊號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述指令為對(duì)所述待測(cè)MCU連續(xù)測(cè)試多組測(cè)試條件,所述控制器對(duì)所述待測(cè)MCU執(zhí)行連續(xù)自動(dòng)測(cè)試。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,驅(qū)動(dòng)配置包括負(fù)載電容、電壓、及引腳速度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述負(fù)載電容選擇模塊包括多個(gè)不同負(fù)載電容值的電容,每個(gè)電容通過(guò)開(kāi)關(guān)連接到所述待測(cè)MCU的GPIO,所述開(kāi)關(guān)由所述控制器控制。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,還包括上位機(jī),所述上位機(jī)發(fā)送所述指令至所述控制器并存儲(chǔ)于所述存儲(chǔ)器,所述上位機(jī)通過(guò)USB總線連接所述波形分析儀,所述波形分析儀將所述波形參數(shù)傳送且存儲(chǔ)至所述上位機(jī),所述上位機(jī)根據(jù)所述波形參數(shù)的上升時(shí)間Tr、下降時(shí)間Tf、頻率1/T、以及占空比,判斷所述頻率是否為在所述測(cè)試條件下的所述待測(cè)MCU的GPIO最大輸出頻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,還包括第二存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)所述波形參數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于,所述控制器通過(guò)PMBus連接所述電源模塊,所述控制器通過(guò)I2C總線連接所述待測(cè)MCU。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
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