[實用新型]一種IGBT軸套抓取用真空吸嘴

有效

• 申請號: 202023245798.6
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN213546295U
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 劉照和;舒小平
• 申請（專利權）人: 嘉源昊澤半導體（蘇州）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L29/739
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型公開了一種IGBT軸套抓取用真空吸嘴，包括軸套以及用于真空吸取所述軸套的真空吸嘴本體，所述軸套上設有法蘭沿部，所述真空吸嘴本體上設有真空套筒，所述真空套筒的下表面上設有多個等距分布的第一真空階梯吸孔，所述真空套筒內設有空腔，所述空腔內設有若干個通氣槽，若干個所述通氣槽均設置在所述真空套筒的內表面上，多個所述第一真空階梯吸孔均與若干個所述通氣槽相通，多個所述第一真空階梯吸孔內均螺紋安裝有真空吸盤，該IGBT軸套抓取用真空吸嘴中，真空套筒設有的多個等距分布的第一真空階梯吸孔便于真空吸盤的安裝，有利于真空套筒內空氣的流通，防止真空吸嘴漏氣無法吸附軸套，提高產品的生產效率。

技術領域

本實用新型涉及IGBT技術領域，具體為一種IGBT軸套抓取用真空吸嘴。

背景技術

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT模塊自動化生產過程中，需要將銅軸套抓取安裝在產品上。因材質和形狀尺寸，無法使用電磁鐵吸取和常規真空吸嘴抓取，導致降低了產品的生產效率。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種IGBT軸套抓取用真空吸嘴，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種IGBT軸套抓取用真空吸嘴，包括軸套以及用于真空吸取所述軸套的真空吸嘴本體，所述軸套上設有法蘭沿部，所述真空吸嘴本體上設有真空套筒，所述真空套筒的下表面上設有多個等距分布的第一真空階梯吸孔，所述真空套筒內設有空腔，所述空腔內設有若干個通氣槽，若干個所述通氣槽均設置在所述真空套筒的內表面上，多個所述第一真空階梯吸孔均與若干個所述通氣槽相通，多個所述第一真空階梯吸孔內均螺紋安裝有真空吸盤，所述真空吸盤與所述法蘭沿部吸附連接，所述真空套筒的上端表面上設有第二真空階梯孔，所述第二真空階梯孔內設有螺紋槽，所述第二真空階梯孔設有真空接頭，所述真空接頭與所述螺紋槽螺紋連接。

優選的，所述真空套筒的下端設有環形真空吸罩，所述環形真空吸罩的內圓直徑大于所述法蘭沿部的外圓直徑。

優選的，所述真空吸盤設有若干個，若干個所述真空吸盤均為橡膠真空吸盤。

優選的，所述第一真空階梯吸孔包括第一真空吸孔和第二真空吸孔，所述第一真空吸孔設置在所述真空套筒的下端表面上，所述第二真空吸孔位于所述第一真空吸孔的上方，所述第一真空吸孔與所述真空吸盤螺紋連接，所述第二真空吸孔與所述通氣槽相通。

優選的，所述第二真空階梯孔包括第三真空通孔和第四真空通孔，所述第三真空通孔與所述空腔相通，所述第四真空通孔設置在所述真空套筒的上端表面上，所述螺紋槽設置在所述第四真空通孔的內表面上。

優選的，所述第四真空通孔的下端表面上設置有密封圈。

優選的，所述真空接頭的外圓表面上設有限位環，所述限位環的下端表面與所述真空套筒的上端表面相接觸。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

第一、該IGBT軸套抓取用真空吸嘴中，真空套筒設有的多個等距分布的第一真空階梯吸孔便于真空吸盤的安裝，有利于真空套筒內空氣的流通，防止真空吸嘴漏氣無法吸附軸套，提高產品的生產效率；

第二、該IGBT軸套抓取用真空吸嘴中，真空套筒上設有的第二真空階梯孔便于真空吸力的流通，第二真空階梯孔內設有的螺紋槽便于真空接頭的安裝和拆卸，方便更換。

附圖說明