[實(shí)用新型]氣相沉積晶圓氣動(dòng)控制結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023222234.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN214361683U
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳銘欽;劉峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州雨竹機(jī)電有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/458
• 分類號(hào): C23C16/458;C23C16/52
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 李林

本實(shí)用新型提供一種氣相沉積晶圓氣動(dòng)控制結(jié)構(gòu)，包含：碟盤、大盤模塊以及第一供氣管；碟盤供一晶圓放置，并于邊緣設(shè)有一呈環(huán)狀的銜接部，大盤模塊具有至少一個(gè)碟盤槽以供至少一碟盤定位，且至少一碟盤槽設(shè)有一環(huán)槽溝以供銜接部置入，環(huán)槽溝銜接一入氣引道，以引入氣浮氣體于環(huán)槽溝中施力于銜接部使至少一碟盤懸浮，環(huán)槽溝銜接于一導(dǎo)出口，第一供氣管銜接設(shè)置在入氣引道的上游第一供氣管具有一第一流量控制閥，以引入氣浮氣體于環(huán)槽溝中施力于銜接部使碟盤懸浮甚至進(jìn)一步旋轉(zhuǎn)，環(huán)槽溝銜接于一導(dǎo)出口，如此使得晶圓的反應(yīng)過程能通過氣動(dòng)方式進(jìn)行懸浮或旋轉(zhuǎn)控制，本實(shí)用新型可使晶圓的受熱效果及成膜效果更為均勻。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積作業(yè)的設(shè)備，尤指一種應(yīng)用于高溫低壓狀態(tài)的氣相沉積晶圓氣動(dòng)控制結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

化學(xué)氣相沉積是一種在晶圓的反應(yīng)面，形成薄膜的重要手段，其系將晶圓置入一反應(yīng)腔中，對(duì)晶圓加熱并使晶圓的反應(yīng)面與反應(yīng)氣體接觸而形成薄膜。在高溫低壓的氣相沉積制程中，晶圓的反應(yīng)面與反應(yīng)氣體的接觸是否均勻、晶圓的加熱溫度是否精準(zhǔn)與均勻，都會(huì)直接影響薄膜形成的品質(zhì)。其中，晶圓置入反應(yīng)腔后的定位及承載方式也影響薄膜的形成品質(zhì)，承載晶圓的機(jī)構(gòu)有時(shí)還涉及許多傳動(dòng)機(jī)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)，這些傳動(dòng)以及驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)會(huì)直接影響反應(yīng)氣體對(duì)晶圓的反應(yīng)面的接觸效果、對(duì)晶圓非反應(yīng)面的加熱方式以及晶圓是否便于通過自動(dòng)化設(shè)備執(zhí)行而影響晶圓產(chǎn)能的問題。

現(xiàn)有用于承載晶圓的相關(guān)裝置，往往會(huì)在晶圓反應(yīng)面的背面設(shè)至晶圓托盤，晶圓托盤又可能會(huì)與相關(guān)的升降機(jī)構(gòu)或旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)連接，導(dǎo)致相對(duì)于晶圓背面區(qū)域存在著復(fù)雜的機(jī)構(gòu)，又溫度的控制、晶圓受熱的均勻度直接影響化學(xué)氣相沉積的品質(zhì)，當(dāng)晶圓背面區(qū)域存在著復(fù)雜的機(jī)構(gòu)，就會(huì)產(chǎn)生不良的溫度控制效果。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的，系在提供一種氣相沉積晶圓氣動(dòng)控制結(jié)構(gòu)，以通過氣動(dòng)的方式改善于在晶圓背面區(qū)域設(shè)置復(fù)雜機(jī)構(gòu)的缺點(diǎn)，氣相沉積晶圓氣動(dòng)控制結(jié)構(gòu)包含：一種氣相沉積晶圓氣動(dòng)控制結(jié)構(gòu)，包含：至少一碟盤，供一晶圓放置，并于邊緣設(shè)有一呈環(huán)狀的銜接部；一大盤模塊，其具有至少一個(gè)碟盤槽以供至少一碟盤定位，且至少一碟盤槽設(shè)有一環(huán)槽溝以供銜接部置入，環(huán)槽溝銜接一入氣引道，以引入氣浮氣體于環(huán)槽溝中施力于銜接部使至少一碟盤懸浮，環(huán)槽溝銜接于一導(dǎo)出口，以供氣浮氣體排出；以及一第一供氣管，銜接設(shè)置在入氣引道的上游第一供氣管具有一第一流量控制閥。

實(shí)施時(shí)，第一供氣管容置至少一種氣體。

實(shí)施時(shí)，氣相沉積晶圓氣動(dòng)控制結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包含一第二供氣管，銜接設(shè)置在入氣引道的上游，第二供氣管具有一第二流量控制閥，第一供氣管與第二供氣管匯流于入氣引道。

實(shí)施時(shí)，第一供氣管與第二供氣管分別容置不同帶熱效果的氣體。

實(shí)施時(shí)，至少一碟盤供晶圓以反應(yīng)面朝下的形式放置。

實(shí)施時(shí)，至少一碟盤供晶圓以反應(yīng)面朝上的形式放置。

實(shí)施時(shí)，碟盤設(shè)有復(fù)數(shù)承載指供晶圓放置，復(fù)數(shù)承載指中的每一承載指具有一傾斜承載面。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上相當(dāng)單純，使得用于承載晶圓的相關(guān)結(jié)構(gòu)中免除過多或復(fù)雜的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)，非常有利于維護(hù)與保養(yǎng)；其次，本實(shí)用新型獨(dú)特的設(shè)計(jì)可廣泛的運(yùn)用于面上型、面下型氣相沉積作業(yè)，能提供晶圓較佳的產(chǎn)品合格率。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的俯視分解圖；

圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖視圖示意圖；

圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的氣浮氣體控制示意圖(一)；

圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的氣浮氣體控制示意圖(二)；

圖5為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的俯視分解圖示意圖；

圖6為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的剖視圖示意圖。