[實用新型]氣相沉積晶圓氣動控制結構有效
| 申請號: | 202023222234.0 | 申請日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN214361683U | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發明(設計)人: | 吳銘欽;劉峰 | 申請(專利權)人: | 蘇州雨竹機電有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 李林 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市中國(江蘇)自由*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 氣動 控制 結構 | ||
1.一種氣相沉積晶圓氣動控制結構,其特征在于,包含:
至少一碟盤,供一晶圓放置,并于邊緣設有一呈環狀的銜接部;
一大盤模塊,其具有至少一個碟盤槽以供該至少一碟盤定位,且該至少一碟盤槽設有一環槽溝以供該銜接部置入,該環槽溝銜接一入氣引道,以引入氣浮氣體于該環槽溝中施力于該銜接部使該至少一碟盤懸浮,該環槽溝銜接于一導出口,以供該氣浮氣體排出;以及
一第一供氣管,銜接設置在該入氣引道的上游,該第一供氣管具有一第一流量控制閥。
2.如權利要求1所述的氣相沉積晶圓氣動控制結構,其特征在于:該第一供氣管容置至少一種氣體。
3.如權利要求1所述的氣相沉積晶圓氣動控制結構,其特征在于:還包含一第二供氣管,銜接設置在該入氣引道的上游,該第二供氣管具有一第二流量控制閥,該第一供氣管與該第二供氣管匯流于該入氣引道。
4.如權利要求3所述的氣相沉積晶圓氣動控制結構,其特征在于:該第一供氣管與該第二供氣管分別容置不同帶熱效果的氣體。
5.如權利要求3所述的氣相沉積晶圓氣動控制結構,其特征在于:該至少一碟盤供該晶圓以反應面朝下的形式放置。
6.如權利要求3所述的氣相沉積晶圓氣動控制結構,其特征在于:該至少一碟盤供晶圓以反應面朝上的形式放置。
7.如權利要求1所述的氣相沉積晶圓氣動控制結構,其特征在于:該碟盤設有復數承載指以供該晶圓放置,每一承載指具有一傾斜承載面。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





