[實(shí)用新型]一種芯片密封環(huán)、電容指紋芯片、模塊及系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202023214023.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN213987535U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李偉江 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G06K9/00 | 分類(lèi)號(hào): | G06K9/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 密封 電容 指紋 模塊 系統(tǒng) | ||
本實(shí)用新型涉及一種芯片密封環(huán)、電容指紋芯片、模塊及系統(tǒng)。一種芯片密封環(huán),設(shè)置在像素矩陣周?chē)鲂酒芊猸h(huán)與激勵(lì)信號(hào)電位相連接,在指紋檢測(cè)時(shí),使得所述芯片密封環(huán)與所述像素矩陣的像素電極之間形成的寄生電容兩端的電位相等。本實(shí)用新型還提供一種電容指紋芯片,將芯片密封環(huán)連接到激勵(lì)電位上,使得芯片密封環(huán)與像素電極之間存在的寄生電容兩端電壓同步變化,不再對(duì)輸出電壓產(chǎn)生影響,避免在電容指紋采集圖像中出現(xiàn)黑邊現(xiàn)象,有效地改善了采集到的電容指紋圖像的質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電容指紋采集技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片密封環(huán)及電容指紋芯片。
背景技術(shù)
電容指紋采集技術(shù),已被廣泛應(yīng)用于各種移動(dòng)設(shè)備中。通常在芯片內(nèi)部包含M*N的像素陣列的有效區(qū)域內(nèi)進(jìn)行指紋的采集,其中M是該有效區(qū)域的縱向像素?cái)?shù),N是該有效區(qū)域的橫向像素?cái)?shù),M和N為正整數(shù),取值范圍分別為 30-200。通過(guò)檢測(cè)指紋谷脊對(duì)應(yīng)的電容(感應(yīng)電容),生成象征指紋的灰度圖像。
圖1為現(xiàn)有電容指紋采集原理示意圖,圖2為現(xiàn)有電容指紋采集的一種讀出電路示意圖,如圖1和2所示,電容指紋的采集基于平行板電容原理,像素陣列中的像素電極作為感應(yīng)電極,手指作為另一極。由于人體電容較大,手指相當(dāng)于大地;對(duì)于每個(gè)像素電極均連接一個(gè)讀出電路,讀出電路的放大器正相輸入端輸入TX信號(hào)(激勵(lì)信號(hào)),將感應(yīng)電容轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。
圖3為現(xiàn)有電容指紋采集產(chǎn)生的灰度值變化示意圖,如圖3所示,在采集電容指紋圖像時(shí),能夠看到從外到內(nèi)明顯的灰度值變化,給指紋識(shí)別算法造成了困擾,而現(xiàn)有技術(shù)對(duì)最外1~2圈像素(pixel)作為假象(dummy)不進(jìn)行處理。
圖4為芯片密封環(huán)與像素電極之間產(chǎn)生的寄生電容示意圖,圖5為現(xiàn)有電容指紋采集中的另一種讀出電路示意圖,如圖4和5所示,為了隔離外部干擾,防潮以及避免芯片在切割時(shí)損壞,在芯片最外側(cè)設(shè)置有與襯底電位相連接的密封環(huán)(sealring)。通常密封環(huán)與襯底電位相連接,由于密封環(huán)與像素電極之間存在著寄生電容(Cp1、Cp2、Cp3…),在實(shí)際應(yīng)用中,讀出電路的電壓輸出端會(huì)受到不同程度的影響:
Vout=Vtx*Cs/Cf+Vtx*Cp/Cf,
其中,Vout為讀出電路電壓輸出,Vtx為芯片TX信號(hào),Cs為感應(yīng)電容, Cp為密封環(huán)與像素之間的寄生電容。可見(jiàn),密封環(huán)與像素電極之間距離越近,寄生電容值越大,會(huì)導(dǎo)致圖像灰度由外而內(nèi)呈現(xiàn)梯度變化,最外圈的像素很容易就會(huì)產(chǎn)生信號(hào)溢出。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本實(shí)用新型的目的在于提供一種芯片密封環(huán)及電容指紋芯片,將芯片密封環(huán)頂層金屬與TX信號(hào)電平相連接,使得芯片密封環(huán)與像素電極之間存在的寄生電容兩端電壓同步變化,不再對(duì)輸出電壓產(chǎn)生影響,避免在電容指紋采集圖像中出現(xiàn)黑邊現(xiàn)象。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供的芯片密封環(huán),設(shè)置在像素矩陣周?chē)鲂酒芊猸h(huán)與激勵(lì)信號(hào)電位相連接,在指紋檢測(cè)時(shí),使得所述芯片密封環(huán)與所述像素矩陣的像素電極之間形成的寄生電容兩端的電位相等。
進(jìn)一步地,所述芯片密封環(huán),包括,頂層金屬及襯底層,其中,所述頂層金屬與激勵(lì)信號(hào)電位相連接,所述襯底層接地。
進(jìn)一步地,在所述頂層金屬與所述襯底層之間,還包括多個(gè)工藝層,所述多個(gè)工藝層中的一個(gè)與其它工藝層斷開(kāi)。
進(jìn)一步地,所述頂層金屬為多層金屬疊加而成。
更進(jìn)一步地,所述芯片密封環(huán),包括,內(nèi)密封環(huán)和一個(gè)或多個(gè)外密封環(huán),其中,
所述內(nèi)密封環(huán)還包括,與激勵(lì)信號(hào)電位相連接的頂層金屬,以及與地相連接的襯底層;
所述一個(gè)或多個(gè)外密封環(huán),至少包括與地相連接的襯底層。
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