[實用新型]一種低信號對外輻射的高頻連接器有效
| 申請號: | 202023196890.8 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN214254971U | 公開(公告)日: | 2021-09-21 |
| 發明(設計)人: | 賴小林;彭哲;尹緒引 | 申請(專利權)人: | 電連技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01R24/40 | 分類號: | H01R24/40;H01R13/6581 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518106 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 信號 對外 輻射 高頻 連接器 | ||
1.一種低信號對外輻射的高頻連接器,可與對方連接器配合連接,其特征在于,包括:
同軸電纜,其具有內導體和在所述內導體周圍同軸地配置的外導體;
外部端子,其與所述同軸電纜的外導體電性連接;
絕緣本體,其固定于所述外部端子;
內部端子,與所述內導體電性連接并固定于所述絕緣本體;
導電構件,其以一定的絕緣間隔包覆于所述內導體的外部并可電性連接于所述外部端子上;
所述外部端子具備沿著所述同軸電纜與所述絕緣本體延伸并對上述兩者進行支承地保持的支承部、從所述支承部的一端垂直地折彎延伸形成的圓筒部以及從所述支承部朝向所述同軸電纜鉚接的鉚接卡合部;
所述鉚接卡合部具有在所述內導體與所述內部端子連接部分的周圍朝著所述絕緣本體和導電構件進行卡合的第一接合部和與所述外導體卡合形成電性連接的第二接合部;
所述導電構件的一端至少延伸至在所述同軸電纜的軸向上覆蓋所述外導體的位置,其另一端至少延伸至在所述同軸電纜的軸向上可被所述第一接合部卡合形成電性連接的位置。
2.如權利要求1所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述導電構件的位于與所述內導體所在側的方向相反的另一端在所述同軸電纜的軸向上延伸至與所述圓筒部形成重疊的位置。
3.如權利要求1或2所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述導電構件與所述絕緣本體通過鑲嵌成型工藝形成為一體。
4.如權利要求3所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述絕緣本體具有基體部、從所述基體部延伸形成的凸伸部、由所述凸伸部的端面突出的臺階部;所述導電構件具有包圍所述內導體與所述內部端子的連接部分周圍且其一端延伸至在所述同軸電纜的軸向上覆蓋所述內導體的前端位置的蓋狀部,該蓋狀部的表面與所述臺階部的表面平齊地設置;所述導電構件還具有固強部,該固強部的一端通過一傾斜段與所述蓋狀部相連;所述固強部鑲嵌于所述凸伸部內且其表面與所述凸伸部的表面平齊地設置。
5.如權利要求4所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述導電構件為通過沖壓工藝制成的截面為“Π”形的蓋狀結構,與所述外部端子的所述支承部蓋合形成第一容置槽,所述內導體的前端被完全包覆在所述第一容置槽中。
6.如權利要求1或2所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述圓筒部的圓周內壁上通過刺破工藝形成有第一凸部,該第一凸部從所述圓筒部的內壁面凸出,與所述絕緣本體的基體部的側緣上設有的第一凹槽相互卡合。
7.如權利要求6所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述第一凸部為周圍無破洞的凸起。
8.如權利要求3所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述導電構件的在所述同軸電纜的軸向上延伸至與所述圓筒部形成重疊的位置上設有凸包部,用以與對方連接器插合時與其電性連接。
9.如權利要求1所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述外部端子的圓筒部在沿著所述同軸電纜與所述絕緣本體延伸的兩側設有突出部,該突出部朝著所述導電構件進行卡合并形成第一接縫,所述導電構件的外表面至少設置一個電性連接到所述突出部的側凸部。
10.如權利要求9所述的一種低信號對外輻射的高頻連接器,其特征在于:所述第一接合部朝著所述絕緣本體和導電構件卡合到所述突出部上并形成第二接縫,該第二接縫與所述第一接縫處于彼此相對錯開的位置。
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