[實用新型]一種提升封裝能力的OLED結構

有效

• 申請號: 202023193248.4
• 申請日: 2020-12-27
• 公開（公告）號: CN213692101U
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 王紹華;王健波;吳遠武;吳迪
• 申請（專利權）人: 湖畔光電科技（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 南京勤行知識產權代理事務所(普通合伙) 32397
• 代理人: 尹英

1.一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，包括從上至下順序層疊的基底、陽極、復合有機層、陰極以及封裝層，所述基底與所述陽極接觸的一面設有基底凹凸結構，所述陽極、所述復合有機層、所述陰極以及所述封裝層均為凹凸結構層，且與所述基底的凹凸結構的凹凸方向相同。

2.根據權利要求1所述的一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，所述凹凸結構為周期性結構，凸起部高度為1-10μm，凹陷部深度為1-10μm。

3.根據權利要求1所述的一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，所述陽極厚度為50-300 nm。

4.根據權利要求1所述的一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，所述陰極為金屬層或金屬合金層，厚度為10-150 nm，所述陰極透光率不低于90%。

5.根據權利要求1所述的一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，所述復合有機層包括真空蒸鍍形成背離所述基底方向依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層，所述復合有機層的厚度為100-400 nm。

6.根據權利要求1所述的一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，所述封裝層為復合封裝層，其厚度為100-1630 nm。

7.根據權利要求6所述的一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，所述復合封裝層包括有金屬氧化物封裝層和無機硅化物封裝層，所述金屬氧化物封裝層的厚度為20-130nm，所述無機硅化物封裝層厚度為80-1500 nm。

8.根據權利要求7所述的一種提升封裝能力的OLED結構，其特征在于，所述金屬氧化物封裝層為多層，所述無機硅化物封裝層為一層。