[實用新型]一種拋光墊及化學機械拋光裝置

有效

• 申請號: 202023171457.9
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN214519536U
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 周小紅
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/26
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 劉鶴;張穎玲

本申請實施例公開了一種拋光墊及化學機械拋光裝置，所述拋光墊應用于化學機械拋光裝置中，所述拋光墊用于對待處理晶圓進行拋光，所述拋光墊包括：第一部分和圍繞所述第一部分的第二部分，所述第一部分為所述拋光墊的中心部分，所述第二部分為所述拋光墊的邊緣部分；其中，所述第二部分包括面向所述待處理晶圓的第一表面區域，所述第二部分具有與所述第一部分相接的內側和遠離所述第一部分的外側，所述第二部分在內側的厚度大于所述第二部分在外側的厚度。

技術領域

本申請實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種拋光墊及化學機械拋光裝置。

背景技術

隨著集成電路特征尺寸持續微縮，晶圓表面質量要求愈加苛刻，因而集成電路器件制造過程對缺陷尺寸和數量的控制越來越嚴格。化學機械拋光是集成電路器件制造工藝中非常重要的一個環節。拋光過程是利用晶圓承載頭將晶圓壓于拋光墊表面，依靠晶圓和拋光墊之間的相對運動并借助拋光漿料中的磨粒實現晶圓表面的平坦化。

然而，在進行化學機械拋光后，晶圓邊緣的拋光效果通常不佳。而這通常都是由于拋光漿料容易在晶圓邊緣處聚集而導致的。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例為解決現有技術中存在的至少一個問題而提供一種拋光墊及化學機械拋光裝置。

為達到上述目的，本申請實施例的技術方案是這樣實現的：

第一方面，本申請實施例提供一種拋光墊，所述拋光墊應用于化學機械拋光裝置中，所述拋光墊用于對待處理晶圓進行拋光，所述拋光墊包括：

第一部分和圍繞所述第一部分的第二部分，所述第一部分為所述拋光墊的中心部分，所述第二部分為所述拋光墊的邊緣部分；其中，

所述第二部分包括面向所述待處理晶圓的第一表面區域，所述第二部分具有與所述第一部分相接的內側和遠離所述第一部分的外側，所述第二部分在內側的厚度大于所述第二部分在外側的厚度。

在一種可選的實施方式中，所述第二部分的厚度沿內側到外側的方向減小。

在一種可選的實施方式中，所述第一部分具有第一厚度；

所述第二部分的厚度小于或等于所述第一厚度。

在一種可選的實施方式中，所述第一表面區域為一圓環形區域，所述第一表面區域的環寬為4cm-6cm。

在一種可選的實施方式中，所述第一表面區域所在的平面和所述第一部分面向所述待處理晶圓的第二表面區域所在的平面在所述第一部分和所述第二部分交界處的夾角大于5度。

在一種可選的實施方式中，所述第一部分包括面向所述待處理晶圓第二表面區域，所述第二表面區域的中心為所述拋光墊的中心。

在一種可選的實施方式中，所述第一表面區域為一圓環形區域，所述第二表面區域為一圓形區域；

所述第二表面區域的半徑與所述第一表面區域的環寬的比值大于5。

在一種可選的實施方式中，所述第一表面區域上具有凹槽圖案，所述凹槽圖案包括多個凹槽，所述凹槽沿所述內側到所述外側的方向延伸，以使拋光漿料通過所述凹槽流出至所述拋光墊的邊緣。

在一種可選的實施方式中，所述第二部分的厚度沿內側到外側的方向呈臺階式變化。

第二方面，本申請實施例提供一種化學機械拋光裝置，其特征在于，所述裝置包括：拋光臺、晶圓承載頭、拋光漿料供應裝置以及第一方面所述的拋光墊；其中，所述拋光墊配置于所述拋光臺上。