[實用新型]一種碳化硅晶體缺陷的檢測裝置

有效

• 申請號: 202023167935.9
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN213986159U
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 陳敬楠;張平;鄒宇
• 申請（專利權）人: 江蘇天科合達半導體有限公司;北京天科合達半導體股份有限公司
• 主分類號: G01N21/01
• 分類號: G01N21/01;G01N21/95
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 夏菁

本實用新型公開了一種碳化硅晶體缺陷的檢測裝置，包括檢測箱體，檢測箱體的箱壁具有遮光功能，檢測箱體中間設置有豎直布置的透明隔板，透明隔板將檢測箱體分隔成前箱室和后箱室；前箱室內設置有光源和豎直布置的夾具，夾具用于夾持豎直放置的柱狀碳化硅晶體，夾具連接有用于驅動夾具繞其自身的豎直軸轉動的轉動部件，光源用于向柱狀碳化硅晶體朝向透明隔板的一側投射光線，前箱室的頂箱壁和/或側箱壁為可開合的箱壁結構；后箱室正對透明隔板的一側箱壁上設置有觀察窗口。通過使用該檢測裝置進行碳化硅晶體缺陷檢測操作，在生產車間或任何其他場景下均能執行檢測操作，操作十分方便。

技術領域

本實用新型涉及缺陷檢測技術領域，尤其涉及一種碳化硅晶體缺陷的檢測裝置。

背景技術

SiC作為C和Si穩定的化合物，其晶格結構由致密排列的兩個亞晶格組成，每個Si(或C)原子與周邊包圍的C(Si)原子通過定向的強四面體sp3鍵結合，雖然SiC的四面體鍵很強，但層錯形成能量卻很低，這一特點決定了SiC的多型體現象，已經發現SiC具有250多種多型體，每種多型體的C/Si雙原子層的堆垛次序不同。最常見的多型體為立方密排的3C-SiC和六角密排的4H、6H-SiC。不同的多型體具有不同的電學性能與光學性能。SiC的禁帶寬度為Si的2-3倍，熱導率約為Si的4.4倍，臨界擊穿電場約為Si的8倍，電子的飽和漂移速度為Si的2倍。SiC的這些性能使其成為高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件的優選材料，可用于地面核反應堆系統的監控、原油勘探、環境監測及航空、航天、雷達、通訊系統和大功率的電子轉換器及汽車馬達等領域的極端環境中。另外，采用SiC所制備的發光二極管的輻射波長可以覆蓋從藍光到紫光的波段，在光信息顯示系統及光集成電路等領域中具有廣闊的應用前景。

一般來說，碳化硅晶體生產完成后需要進行缺陷檢測，而目前的缺陷檢測方式，工程師在查看碳化硅晶體缺陷時候需要在避光環境下進行，由于生產車間現場光線非常明亮，需要到一個相對比較暗的光源下檢查碳化硅晶體缺陷，該種方式在生產車間操作十分不方便。

綜上所述，如何解決碳化硅晶體缺陷檢測操作不方便的問題已經成為本領域技術人員亟需解決的技術難題。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種碳化硅晶體缺陷的檢測裝置，以解決碳化硅晶體缺陷檢測操作不方便的問題。

為了實現上述目的，本實用新型提供了一種碳化硅晶體缺陷的檢測裝置，包括檢測箱體，所述檢測箱體的箱壁具有遮光功能，所述檢測箱體中間設置有豎直布置的透明隔板，所述透明隔板將所述檢測箱體分隔成前箱室和后箱室；所述前箱室內設置有光源和豎直布置的夾具，所述夾具用于夾持豎直放置的柱狀碳化硅晶體，所述夾具連接有用于驅動所述夾具繞其自身的豎直軸轉動的轉動部件，所述光源用于向所述柱狀碳化硅晶體朝向所述透明隔板的一側投射光線，所述前箱室的頂箱壁和/或側箱壁為可開合的箱壁結構；所述后箱室正對所述透明隔板的一側箱壁上設置有觀察窗口。

優選地，所述可開合的箱壁結構為遮光板，所述遮光板的一側邊沿與所述前箱室的框架固定連接，所述遮光板的其他側邊沿與所述前箱室的框架通過卡扣或掛鉤連接。

優選地，所述夾具包括可轉動地設置于所述前箱室內底部的下夾座和位于所述下夾座的正上方的上夾頭，所述下夾座上設置有豎直布置的滑桿，所述上夾頭上設置有供所述滑桿穿過的過孔，所述上夾頭能夠沿所述滑桿滑動，且所述滑桿上設置有與所述滑桿螺紋配合的限位螺母，所述限位螺母用于向所述上夾頭施加壓緊力以使所述上夾頭將所述柱狀碳化硅晶體壓緊在所述下夾座上。

優選地，所述轉動部件為設置在所述前箱室的外側的底部的旋鈕，所述旋鈕與所述下夾座的底部連接。

優選地，所述光源設置在所述前箱室的框梁上，且所述光源的光線投射角度可調節。