[實用新型]一種濾波器晶圓級封裝結構

有效

• 申請號: 202023166844.3
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN213846626U
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 朱其壯;李永智;呂軍;賴芳奇
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽半導體有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/50
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，公開了一種濾波器晶圓級封裝結構。所述濾波器晶圓級封裝結構包括濾波器晶圓、覆蓋晶圓及微凸焊點，濾波器晶圓包括基板，基板的上表面設置有功能區和多個焊墊，覆蓋晶圓由硅片制成，覆蓋晶圓通過膠水層粘合于基板的上表面，覆蓋晶圓靠近基板的一側開設有凹槽，功能區容納于凹槽內，微凸焊點設置在所述覆蓋晶圓上，微凸焊點與所述焊墊電性連接。本實用新型的濾波器晶圓級封裝結構，封裝過程簡單、封裝過程不易污染功能區，整體厚度結構較薄。

技術領域

本實用新型涉及半導體封裝技術領域，尤其涉及一種濾波器晶圓級封裝結構。

背景技術

濾波器是一種選頻裝置，可以使信號中特定的頻率成分通過，而極大地衰減其他頻率成分，從而可以用于濾除干擾噪聲。如圖1所示，濾波器的晶圓級1′包括基板11′，基板11′的上表面上設置有功能區12′和焊墊13′，根據濾波器的性能和功能的需求，在對濾波器的晶圓級1′進行封裝時，需要保證功能區12′位于一個空腔內。如圖1所示，現有技術中，濾波器晶圓級封裝結構包括圖案化的支撐圍堰2′，支撐圍堰2′設置在基板11′上，支撐圍堰2′上設置保護層3′，基板11′、支撐圍堰12′及保護層3′共同圍成封閉的容納腔4′，功能區12′位于容納腔4′內?，F有技術中的濾波器晶圓級封裝結構，一方面，支撐圍堰通常采用干膜光刻工藝成型在基板上，其加工過程中容易造成功能區的污染，導致封裝結構良品率低；另一方面，通過支撐圍堰、保護層共同封裝，工藝復雜、且支撐圍堰與基板、保護層之間均需要粘合劑粘合，最終獲得的封裝結構整體厚度較厚。

因此，亟需一種濾波器晶圓級封裝結構來解決上述技術問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提出一種濾波器晶圓級封裝結構，封裝過程簡單、封裝過程不易污染功能區，整體厚度結構較薄。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種濾波器晶圓級封裝結構，包括：

濾波器晶圓，包括基板，所述基板的上表面設置有功能區和多個焊墊；

覆蓋晶圓，由硅片制成，所述覆蓋晶圓通過膠水層粘合于所述基板的上表面，所述覆蓋晶圓靠近所述基板的一側開設有凹槽，所述功能區容納于所述凹槽內；

微凸焊點，設置在所述覆蓋晶圓上，所述微凸焊點與所述焊墊電性連接。

可選地，所述濾波器晶圓級封裝結構上開設有盲孔，所述盲孔從所述覆蓋晶圓的一側依次穿透所述覆蓋晶圓、所述膠水層及所述焊墊，所述盲孔內設置有Cu連接體，所述Cu連接體分別與所述焊墊的導電層和所述微凸焊點電性連接。

可選地，所述盲孔通過激光打孔工藝制成。

可選地，所述Cu連接體通過電鍍的方式成型于所述盲孔內。

可選地，所述覆蓋晶圓上側位于所述盲孔預設尺寸范圍內的區域為預設區域，所述預設區域和所述盲孔內表面設置有金屬層，所述金屬層分別與所述焊墊的所述導電層、所述Cu連接體電性連接。

可選地，所述金屬層通過物理氣相沉積的方式濺射至所述盲孔和所述覆蓋晶圓的表面。

可選地，所述金屬層與所述預設區域相對應的部分為預留區，所述預留區外表面設置有球下金屬層，所述球下金屬層分別與所述預留區和所述微凸焊點電性連接。

可選地，所述球下金屬層包括鍍Ni層和鍍Au層，所述鍍Ni層靠近所述預留區一側；

所述鍍Ni層和所述鍍Au層的厚度均為2μm～4μm。

可選地，所述凹槽依次通過光刻工藝和干法刻蝕工藝成型；或所述凹槽采用激光燒蝕方法成型。

可選地，所述基板的厚度為20μm～300μm；和/或所述覆蓋晶圓的厚度為10μm～500μm；和/或所述膠水層的厚度為0.1μm～100μm。