[實用新型]一種濾波器晶圓級封裝結構

有效

• 申請號: 202023166844.3
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN213846626U
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 朱其壯;李永智;呂軍;賴芳奇
• 申請（專利權）人: 蘇州科陽半導體有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/50
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，包括：

濾波器晶圓(1)，包括基板(11)，所述基板(11)的上表面設置有功能區(12)和多個焊墊(13)；

覆蓋晶圓(2)，由硅片制成，所述覆蓋晶圓(2)通過膠水層(3)粘合于所述基板(11)的上表面，所述覆蓋晶圓(2)靠近所述基板(11)的一側開設有凹槽(21)，所述功能區(12)容納于所述凹槽(21)內；

微凸焊點(5)，設置在所述覆蓋晶圓(2)上，所述微凸焊點(5)與所述焊墊(13)電性連接。

2.如權利要求1所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述濾波器晶圓級封裝結構上開設有盲孔(41)，所述盲孔(41)從所述覆蓋晶圓(2)的一側依次穿透所述覆蓋晶圓(2)、所述膠水層(3)及所述焊墊(13)，所述盲孔(41)內設置有Cu連接體(8)，所述Cu連接體(8)分別與所述焊墊(13)的導電層(132)和所述微凸焊點(5)電性連接。

3.如權利要求2所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述盲孔(41)通過激光打孔工藝制成。

4.如權利要求2所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述Cu連接體(8)通過電鍍的方式成型于所述盲孔(41)內。

5.如權利要求2所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述覆蓋晶圓(2)上側位于所述盲孔(41)預設尺寸范圍內的區域為預設區域，所述預設區域和所述盲孔(41)內表面設置有金屬層(7)，所述金屬層(7)分別與所述焊墊(13)的所述導電層(132)、所述Cu連接體(8)電性連接。

6.如權利要求5所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述金屬層(7)通過物理氣相沉積的方式濺射至所述盲孔(41)和所述覆蓋晶圓(2)的表面。

7.如權利要求5所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述金屬層(7)與所述預設區域相對應的部分為預留區(71)，所述預留區(71)外表面設置有球下金屬層(9)，所述球下金屬層(9)分別與所述預留區(71)和所述微凸焊點(5)電性連接。

8.如權利要求7所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述球下金屬層(9)包括鍍Ni層和鍍Au層，所述鍍Ni層靠近所述預留區(71)一側；

所述鍍Ni層和所述鍍Au層的厚度均為2μm～4μm。

9.如權利要求1-8任一項所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述凹槽(21)依次通過光刻工藝和干法刻蝕工藝成型；或所述凹槽(21)采用激光燒蝕方法成型。

10.如權利要求1-8任一項所述的濾波器晶圓級封裝結構，其特征在于，所述基板(11)的厚度為20μm～300μm；和/或所述覆蓋晶圓(2)的厚度為10μm～50μm；和/或所述膠水層(3)的厚度為0.1μm～100μm。