[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023161487.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN213691995U
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明宇;蘇曉山;王大明;賈國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳吉華微特電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/00
• 分類號(hào): H01L23/00
• 代理公司: 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 馮建華;劉曰瑩

本實(shí)用新型公開一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，包括：襯底和形成于所述襯底表面的阱，所述阱內(nèi)形成所需的器件，所述器件的上表面低于所述阱的上表面，所述器件周邊的襯底形成一圈隔離區(qū)。本實(shí)用新型的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，將器件形成于阱內(nèi)，而阱周圍的襯底形成所述器件的隔離區(qū)，該設(shè)計(jì)有效防止了外部環(huán)境對(duì)于器件的干擾，利用其自身結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)器件的防潮效果。與現(xiàn)有的芯片級(jí)防潮結(jié)構(gòu)相比，不需要通過(guò)挖槽工藝做復(fù)雜的防潮環(huán)，降低了工藝復(fù)雜度和生產(chǎn)成本。而且由于本半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)在芯片級(jí)即滿足可靠性的要求，故在封裝時(shí)無(wú)需做復(fù)雜的封裝，一般采用WLP晶圓級(jí)封裝方式，即將器件直接貼裝到基板或印刷電路板上，其在減小成品管芯尺寸的同時(shí)，也大大降低了封裝成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

絕大部分電子產(chǎn)品都要求在干燥條件下作業(yè)和存放。據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球每年有1/4以上的工業(yè)制造不良品是由潮濕的外部環(huán)境所引起。對(duì)于電子工業(yè)，潮濕的危害已經(jīng)成為產(chǎn)品質(zhì)量控制的主要因素之一。為解決上述問(wèn)題，本領(lǐng)域技術(shù)人員普遍采用兩種方式來(lái)避免外界潮濕對(duì)半導(dǎo)體器件的影響，一是從封裝結(jié)構(gòu)入手，形成防潮層。二是在芯片表面或縱向結(jié)構(gòu)集成防潮環(huán)，其中防潮環(huán)一般為氮化硅或聚酰亞胺(PI)，上述兩種方式在加工制程中，會(huì)多次利用挖槽工藝，工藝復(fù)雜、生產(chǎn)成本居高不下。

因此，需要對(duì)現(xiàn)有工藝進(jìn)行改進(jìn)，達(dá)到有效防潮的同時(shí)降低工藝難度及生產(chǎn)成本。

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決以上存在的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種新的解決方案，其通過(guò)在于阱內(nèi)形成所需的器件，利用阱周圍的襯底形成對(duì)器件的隔離防護(hù)，達(dá)到了良好的防潮效果，其利用自身結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了器件防潮保護(hù)的同時(shí)，減小了成品管芯的尺寸，降低了封裝成本。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，包括：襯底和形成于所述襯底表面的阱，所述阱內(nèi)形成所需的器件，所述器件的上表面低于所述阱的上表面，所述器件周邊的襯底形成一圈隔離區(qū)。

進(jìn)一步地，所述襯底為本征硅或摻雜硅。

進(jìn)一步地，所述襯底為摻雜硅中的N型硅時(shí)，所述阱為P阱，所述襯底為摻雜硅中的P型硅時(shí)，所述阱為N阱。

進(jìn)一步地，所述襯底為本征硅時(shí)，所述阱為P阱或N阱。

進(jìn)一步地，所述隔離區(qū)的寬度為10-90um。

進(jìn)一步地，所述器件的上表面低于所述阱的上表面10-20um。

進(jìn)一步地，所述所述器件為功率器件或分立器件。

采用上述方案，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其將器件設(shè)在阱內(nèi)，在器件有效區(qū)域周圍利用襯底形成了隔離區(qū)，保證了半導(dǎo)體器件免受外界干擾，實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體器件防潮效果，和現(xiàn)有的半導(dǎo)體防潮結(jié)構(gòu)相比，降低了工藝復(fù)雜度及生產(chǎn)成本。且其利用自身結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了器件防潮保護(hù)的同時(shí)，減小了成品管芯的尺寸，降低了封裝成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

如圖1所示，為本實(shí)用新型的一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，可以看出，其包括：襯底100和形成于所述襯底100表面的阱101，所述阱101內(nèi)形成所需的器件102，所述器件102的上表面低于所述阱101的上表面，所述器件102周邊的襯底形成一圈隔離區(qū)103。其中，器件102可以為功率器件(輸出功率比較大的電子元器件)或分立器件(二極管、三極管等)。所述器件102的上表面隱藏于所述阱101內(nèi)，所述器件102的周圍均為襯底100形成的隔離區(qū)103，由此形成對(duì)所述器件102的有效防護(hù)，使其免受外界環(huán)境的干擾，達(dá)到防潮的效果。