[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202023161487.1 | 申請日： | 2020-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN213691995U | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李明宇;蘇曉山;王大明;賈國 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳吉華微特電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384 | 代理人： | 馮建華;劉曰瑩 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 防潮 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底和形成于所述襯底表面的阱，所述阱內(nèi)形成所需的器件，所述器件的上表面低于所述阱的上表面，所述器件周邊的襯底形成一圈隔離區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為本征硅或摻雜硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為摻雜硅中的N型硅時，所述阱為P阱，所述襯底為摻雜硅中的P型硅時，所述阱為N阱。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底為本征硅時，所述阱為P阱或N阱。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離區(qū)的寬度為10-90um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件的上表面低于所述阱的上表面10-20um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件防潮結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述器件為功率器件。
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