[實用新型]一種SiC肖特基二極管

有效

• 申請號: 202023159226.6
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN213546314U
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 祁曉峰;周曄;魏良
• 申請（專利權）人: 江蘇長弘半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31;H01L29/872;H01L23/49
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 丁博寒

本實用新型涉及電器元件的技術領域，特別是涉及一種SiC肖特基二極管，其根據不同特性進行材料的拆卸與安裝，提高可靠性；包括二極管安裝架、陽極活動塊、陽極金屬條、陽極插條、陰極金屬條、陰極活動塊、陰極插槽以及N?外延層模塊、N型基片模塊、N+陰極層模塊、握持模塊、前端鎖緊模塊，其中陽極活動塊輸入端與陽極金屬條內端相連接，陽極活動塊輸出端與陽極插條內端相連接，陰極活動塊輸出端與陰極金屬條內端相連接，陰極活動塊輸入端與陰極插槽內端相連接，N?外延層模塊、N型基片模塊、N+陰極層模塊依次電連接安裝在二極管安裝架內，且按照相應位置分別與陽極插條和陰極插槽安裝固定。

技術領域

本實用新型涉及電器元件的技術領域，特別是涉及一種SiC肖特基二極管。

背景技術

肖特基二極管是通過金屬與N型半導體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導體器件。肖特基二極管的基本結構是重摻雜的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高，采用N型Si 、SiC 或GaAs為材料，以獲得良好的頻率特性，肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導體器件和PiN結二極管類似，由于兩者費米能級不同，金屬與半導體材料交界處要形成空間電荷區和自建電場。在外加電壓為零時，載流子的擴散運動與反向的漂移運動達到動態平衡，這時金屬與N型4H-SiC半導體交界處形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。肖特基二極管就是依據此原理制作而成。傳統的SiC肖特基二極管由于其固定特性，在內部某些材料發生破壞損毀時，功能喪失，進而不能繼續使用，對其他材料造成浪費，使得更換成本較高，可靠性較差。

實用新型內容

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種根據不同特性進行材料的拆卸與安裝，提高可靠性的一種SiC肖特基二極管。

本實用新型的一種SiC肖特基二極管，包括二極管安裝架、陽極活動塊、陽極金屬條、陽極插條、陰極金屬條、陰極活動塊、陰極插槽以及N-外延層模塊、N型基片模塊、N+陰極層模塊、握持模塊、前端鎖緊模塊，其中所述陽極活動塊輸入端與陽極金屬條內端相連接，所述陽極活動塊輸出端與陽極插條內端相連接，所述陰極活動塊輸出端與陰極金屬條內端相連接，所述陰極活動塊輸入端與陰極插槽內端相連接，所述N-外延層模塊、N型基片模塊、N+陰極層模塊依次電連接安裝在二極管安裝架內，且按照相應位置分別與所述陽極插條和陰極插槽安裝固定。

本實用新型的一種SiC肖特基二極管，所述N-外延層模塊包括N-外延層套架、N-外延層材料、N-外延層插槽和N-外延層插條，所述N-外延層插槽安裝連接在陽極插條輸出端，所述 N-外延層材料外側安裝在N-外延層套架內側，所述N-外延層材料輸入端連接N-外延層插槽，所述N-外延層材料輸出端連接N-外延層插條。

本實用新型的一種SiC肖特基二極管，所述N型基片模塊包括N型基片材料、N型基片插槽、N型基片插頭和N型基片套架，所述N型基片插槽安裝連接在N-外延層插條輸出端，所述 N型基片材料外側安裝在N型基片套架內側，所述N型基片材料輸入端連接N型基片插槽，所述N型基片材料輸出端連接N型基片插頭。

本實用新型的一種SiC肖特基二極管，所述N+陰極層模塊包括N+陰極層套架、N+陰極層材料、N+陰極層插槽和N+陰極層插條，所述N+陰極層插槽安裝連接在N型基片插頭輸出端，所述N+陰極層材料外側安裝在N+陰極層套架內側，所述N+陰極層材料輸入端連接N+陰極層插槽，所述N+陰極層材料輸出端連接N+陰極層插條，所述N+陰極層插條輸出端安裝連接在陰極插槽輸入端。

本實用新型的一種SiC肖特基二極管，所述握持模塊包括連接架和提環，由三組所述連接架底端分別與N-外延層套架、N型基片套架和N+陰極層套架頂端中部相連接，每組所述連接架頂端分別與一組提環底端中部相連接。

本實用新型的一種SiC肖特基二極管，還包括標識牌，每組所述N型基片套架外側分別與一組標識牌內端貼合。