[實(shí)用新型]一種SiC肖特基二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023159226.6
• 申請(qǐng)日: 2020-12-24
• 公開（公告）號(hào): CN213546314U
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 祁曉峰;周曄;魏良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇長弘半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/07
• 分類號(hào): H01L25/07;H01L23/31;H01L29/872;H01L23/49
• 代理公司: 蘇州市中南偉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257
• 代理人: 丁博寒

1.一種SiC肖特基二極管，其特征在于，包括二極管安裝架（1）、陽極活動(dòng)塊（2）、陽極金屬條（3）、陽極插條（4）、陰極金屬條（5）、陰極活動(dòng)塊（6）、陰極插槽（7）以及N-外延層模塊、N型基片模塊、N+陰極層模塊、握持模塊、前端鎖緊模塊，其中所述陽極活動(dòng)塊（2）輸入端與陽極金屬條（3）內(nèi)端相連接，所述陽極活動(dòng)塊（2）輸出端與陽極插條（4）內(nèi)端相連接，所述陰極活動(dòng)塊（6）輸出端與陰極金屬條（5）內(nèi)端相連接，所述陰極活動(dòng)塊（6）輸入端與陰極插槽（7）內(nèi)端相連接，所述N-外延層模塊、N型基片模塊、N+陰極層模塊依次電連接安裝在二極管安裝架（1）內(nèi)，且按照相應(yīng)位置分別與所述陽極插條（4）和陰極插槽（7）安裝固定。

2.如權(quán)利要求1所述的一種SiC肖特基二極管，其特征在于，所述N-外延層模塊包括N-外延層套架（8）、N-外延層材料（9）、N-外延層插槽（10）和N-外延層插條（11），所述N-外延層插槽（10）安裝連接在陽極插條（4）輸出端，所述 N-外延層材料（9）外側(cè)安裝在N-外延層套架（8）內(nèi)側(cè)，所述N-外延層材料（9）輸入端連接N-外延層插槽（10），所述N-外延層材料（9）輸出端連接N-外延層插條（11）。

3.如權(quán)利要求1所述的一種SiC肖特基二極管，其特征在于，所述N型基片模塊包括N型基片材料（12）、N型基片插槽（13）、N型基片插頭（14）和N型基片套架（15），所述N型基片插槽（13）安裝連接在N-外延層插條（11）輸出端，所述 N型基片材料（12）外側(cè)安裝在N型基片套架（15）內(nèi)側(cè)，所述N型基片材料（12）輸入端連接N型基片插槽（13），所述N型基片材料（12）輸出端連接N型基片插頭（14）。

4.如權(quán)利要求1所述的一種SiC肖特基二極管，其特征在于，所述N+陰極層模塊包括N+陰極層套架（16）、N+陰極層材料（17）、N+陰極層插槽（18）和N+陰極層插條（19）， 所述N+陰極層插槽（18）安裝連接在N型基片插頭（14）輸出端，所述N+陰極層材料（17）外側(cè)安裝在N+陰極層套架（16）內(nèi)側(cè)，所述N+陰極層材料（17）輸入端連接N+陰極層插槽（18），所述N+陰極層材料（17）輸出端連接N+陰極層插條（19），所述N+陰極層插條（19）輸出端安裝連接在陰極插槽（7）輸入端。

5.如權(quán)利要求1所述的一種SiC肖特基二極管，其特征在于，所述握持模塊包括連接架（20）和提環(huán)（21），由三組所述連接架（20）底端分別與N-外延層套架（8）、N型基片套架（15）和N+陰極層套架（16）頂端中部相連接，每組所述連接架（20）頂端分別與一組提環(huán)（21）底端中部相連接。

6.如權(quán)利要求1所述的一種SiC肖特基二極管，其特征在于，還包括標(biāo)識(shí)牌（22），每組所述N型基片套架（15）外側(cè)分別與一組標(biāo)識(shí)牌（22）內(nèi)端貼合。

7.如權(quán)利要求1所述的一種SiC肖特基二極管，其特征在于，所述前端鎖緊模塊包括螺環(huán)（23）、頂緊螺桿（24）和擰片（25），所述二極管安裝架（1）前端兩側(cè)分別與一組螺環(huán)（23）內(nèi)端相連通，且所述頂緊螺桿（24）外壁與螺環(huán)（23）內(nèi)壁螺裝連接，所述頂緊螺桿（24）外側(cè)與擰片（25）內(nèi)端相連接。

8.如權(quán)利要求1所述的一種SiC肖特基二極管，其特征在于，還包括捏套（26），兩組所述捏套（26）內(nèi)側(cè)分別套接在陽極金屬條（3）和陰極金屬條（5）內(nèi)端外側(cè)。