[實用新型]一種增強型半導體器件有效
| 申請號： | 202023057904.8 | 申請日： | 2020-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN213635993U | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 程凱 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶湛半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 增強 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種增強型半導體器件，其特征在于，包括：
襯底；
p型半導體層，所述p型半導體層設置在所述襯底上；
n型半導體層，所述n型半導體層設置在p型半導體層上，所述n型半導體層的柵極區域具有第一凹槽，所述第一凹槽貫穿所述n型半導體層；
溝道層，所述溝道層保形地設置在n型半導體層上以及所述第一凹槽內；
勢壘層，所述勢壘層保形地設置在溝道層上。
2.根據權利要求1所述的增強型半導體器件，其特征在于，還包括：
位于所述勢壘層源極區域的源極、位于所述勢壘層柵極區域的柵極以及位于所述勢壘層漏極區域的漏極。
3.根據權利要求1所述的增強型半導體器件，其特征在于，還包括：
所述p型半導體層、所述n型半導體層、所述溝道層及所述勢壘層為GaN基材料。
4.根據權利要求1所述的增強型半導體器件，其特征在于，所述n型半導體層的厚度為12－20nm。
5.根據權利要求1－4任一項所述的增強型半導體器件，其特征在于，還包括非故意摻雜的氮化物，所述非故意摻雜的氮化物位于所述p型半導體層上，所述第一凹槽貫穿所述n型半導體層，暴露出所述非故意摻雜的氮化物的柵極區域。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州晶湛半導體有限公司，未經蘇州晶湛半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202023057904.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種可保證PCB正常插裝的拼版夾
- 下一篇：一種帶PVE測試功能的車載終端
- 同類專利
- 專利分類
