[實用新型]一種硅片搬運機(jī)構(gòu)及探針臺有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202023007903.2 | 申請日: | 2020-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN213752668U | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林生財;曾凡貴;劉振輝;王勝利 | 申請(專利權(quán))人: | 矽電半導(dǎo)體設(shè)備(深圳)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518172 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍城街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硅片 搬運 機(jī)構(gòu) 探針 | ||
本實用新型公開了一種硅片搬運機(jī)構(gòu)及探針臺。一種硅片搬運機(jī)構(gòu)包括,第一吸附部;設(shè)置于第一吸附部、兩端分別連通第一伯努利吸盤和第二伯努利吸盤的第一導(dǎo)氣通道;所述第一導(dǎo)氣通道的等距中心連通于第一供氣通道;以及應(yīng)用所述硅片搬運機(jī)構(gòu)的探針臺。首先啟動的第一伯努利吸盤和第二伯努利吸盤氣壓同步且穩(wěn)定,從而增強(qiáng)硅片搬運機(jī)構(gòu)工作的穩(wěn)定性,降低硅片因受力不均引起損壞的風(fēng)險。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種硅片搬運機(jī)構(gòu)及探針臺。
背景技術(shù)
在對單片硅片或其它片狀材料進(jìn)行位置轉(zhuǎn)移時需要使用搬運機(jī)構(gòu),隨著硅片越來越薄,硅片表面的翹曲度越來越大,從而采用常規(guī)的真空吸附方式搬運硅片容易造成硅片損壞。
實用新型內(nèi)容
為改善上述技術(shù)問題,本實用新型提出一種硅片搬運機(jī)構(gòu)及探針臺。
本實用新型的技術(shù)方案為:一種硅片搬運機(jī)構(gòu)包括,
第一吸附部;
設(shè)置于第一吸附部、兩端分別連通第一伯努利吸盤和第二伯努利吸盤的第一導(dǎo)氣通道;所述第一導(dǎo)氣通道的等距中心連通于第一供氣通道。
進(jìn)一步的,第二導(dǎo)氣通道,設(shè)置于第一吸附部、連通第三伯努利吸盤且連通第一供氣通道;
第一供氣通道至第一伯努利吸盤的距離小于第一供氣通道至第三伯努利吸盤的距離。
進(jìn)一步的,所述第一導(dǎo)氣通道包括第一導(dǎo)氣溝槽和第一密封板;
第一供氣通道包括第二導(dǎo)氣溝槽和第二密封板;
所述第一導(dǎo)氣溝槽和第二導(dǎo)氣溝槽分布于第一吸附部兩側(cè)。
進(jìn)一步的,第二吸附部,以及設(shè)置于第二吸附部上的第四伯努利吸盤和第五伯努利吸盤;
所述第一伯努利吸盤、第二伯努利吸盤、第四伯努利吸盤和第五伯努利吸盤沿圓形分布。
進(jìn)一步的,所述第四伯努利吸盤和第五伯努利吸盤分別位于第三導(dǎo)氣通道兩端,且第三導(dǎo)氣通道的等距中心連通于第二供氣通道。
進(jìn)一步的,所述第一吸附部和第二吸附部一體成型。
進(jìn)一步的,所述第一吸附部和第二吸附部均安裝于安裝本體。
進(jìn)一步的,所述第一伯努利吸盤、第二伯努利吸盤、第四伯努利吸盤和第五伯努利吸盤位于同側(cè)。
一種探針臺,所述探針臺包括上述的硅片搬運機(jī)構(gòu)。
進(jìn)一步的,所述探針臺包括多個硅片搬運機(jī)構(gòu)。
本實用新型的有益效果在于:首先啟動的第一伯努利吸盤和第二伯努利吸盤氣壓同步且穩(wěn)定,從而增強(qiáng)硅片搬運機(jī)構(gòu)工作的穩(wěn)定性,降低硅片因受力不均引起損壞的風(fēng)險。
附圖說明
圖1為本實用新型硅片搬運機(jī)構(gòu)實施例一;
圖2為第一供氣通道、第一導(dǎo)氣通道及第二導(dǎo)氣通道連接關(guān)系示意圖一;
圖3為第一供氣通道、第一導(dǎo)氣通道及第二導(dǎo)氣通道連接關(guān)系示意圖二;
圖4為第一供氣通道、第一導(dǎo)氣通道及第二導(dǎo)氣通道連接關(guān)系示意圖三;
圖5為本實用新型硅片搬運機(jī)構(gòu)實施例二。
具體實施方式
為便于本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本實用新型的技術(shù)方案,下面將本實用新型的技術(shù)方案結(jié)合具體實施例作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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