[實用新型]射頻芯片

有效

• 申請號: 202022987929.1
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN213635989U
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 趙奐
• 申請（專利權）人: 康希通信科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 王敏生;董琳

本申請公開一種射頻芯片，所述射頻芯片包括：射頻模塊；電荷泄放端，電耦合至所述射頻模塊；射頻端口，電耦合至所述射頻模塊，所述射頻端口與電荷泄放端之間的電信號傳輸路徑內串聯有隔直電容；ESD保護模塊，與所述隔直電容并聯，當所述ESD保護模塊導通時，在所述射頻端口與所述電荷泄放端之間形成電荷泄放通路。上述射頻芯片對射頻端口具有ESD保護作用。

技術領域

本申請涉及射頻芯片技術領域，具體涉及一種射頻芯片。

背景技術

靜電放電(ESD，Electrostatic discharge)一直是集成電路的關鍵設計問題。ESD已經成為產品可靠性主要的威脅，因為它存在于從主流硅基互補金屬氧化物半導體到化合物半導體工藝的所有IC制造工藝中。傳統的模擬電路和數字電路，外圍的ESD保護電路與被保護核心電路之間的相互作用不明顯，當端口的靜電高電壓和大電流進入芯片內部時，ESD保護電路工作，將大電流在低阻抗的放電通道泄放，同時把放電電壓鉗位在安全水平，避免芯片的核心電路遭受到熱擊穿和電失效，在正常工作狀態下，ESD保護電路的存在對于核心電路正常工作的影響可以忽略不計。

然而，隨著集成電路(IC)工藝進入深亞微米水平，以及射頻(RF，Radio-Frequency)IC工作頻率向數千兆赫茲頻段邁進，片上ESD保護的設計越來越成為RF IC設計的挑戰。由于射頻集成電路的性能指標易于受到外部寄生參數的影響，而ESD保護電路自身的寄生電容效應對于被保護的射頻核心電路的影響不可避免，在射頻核心電路與端口之間增加ESD保護電路，會對ESD保護電路以及射頻核心電路的設計帶會更為嚴格的要求和挑戰。一方面要避免ESD保護電路對要保護的射頻核心電路的影響，使得ESD保護電路本身的存在不影響到射頻核心電路的工作條件，比如射頻功率的正常放大或者接收等，也不能影響射頻核心電路原來的射頻阻抗匹配條件；另一方面還要避免受到核心電路的影響被誤觸發。射頻芯片內部的高頻信號變化，帶來的小信號噪聲往往會導致端口出現較大的電壓波動，會導致ESD保護電路被誤觸發，造成ESD保護電路失效。

如何降低射頻芯片內的端口ESD保護電路的設計難度，且不影響射頻芯片的正常工作，是目前亟待解決的問題。

實用新型內容

鑒于此，本申請提供一種射頻芯片，以解決現有的ESD保護電路設計難度較高的問題。

本申請提供的一種射頻芯片，包括:射頻模塊；電荷泄放端，電耦合至所述射頻模塊；射頻端口，電耦合至所述射頻模塊，所述射頻端口與電荷泄放端之間的電信號傳輸路徑內串聯有隔直電容；ESD保護模塊，與所述隔直電容并聯，當所述ESD保護模塊導通時，在所述射頻端口與所述電荷泄放端之間形成電荷泄放通路。

可選的，所述ESD保護模塊的關斷電容與所述隔直電容的并聯電容值滿足所述射頻芯片正常工作的要求。

可選的，所述ESD保護模塊的關斷電容值與所述隔直電容的電容值之和構成射頻芯片工作頻帶內所需電容器件的取值條件。

可選的，所述電容器件包括：射頻芯片端口所需的匹配電容、串聯諧振網絡所需的電容、并聯諧振網絡所需的電容中的至少一種。

可選的，所述ESD保護模塊在大信號工作時，能夠承受射頻芯片工作條件所需的電壓擺幅。

可選的，所述射頻端口與所述電荷泄放端之間的最短電信號傳輸路徑上的隔直電容與所述ESD保護模塊并聯。

可選的，所述電荷泄放端包括：電源地、信號地、ESD保護電路、電位參考點中的至少一種。

可選的，所述ESD保護模塊包括多個并聯的ESD保護單元。

可選的，所述多個并聯的ESD保護單元分別具有不同的導通閾值。