[實用新型]一種硅片檢測機構及鍍膜設備有效
| 申請號: | 202022887834.2 | 申請日: | 2020-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN213459649U | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 孫津;劉恩華;張晨鑫;姜大俊 | 申請(專利權)人: | 鹽城阿特斯陽光能源科技有限公司;阿特斯陽光電力集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 224000 江蘇省鹽*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 檢測 機構 鍍膜 設備 | ||
本實用新型涉及太陽能電池生產技術領域,公開一種硅片檢測機構及鍍膜設備。該硅片檢測機構包括傳輸組件、檢測組件和轉移組件,傳輸組件用于承接并傳輸的待鍍膜硅片,檢測組件位于傳輸組件的上方,檢測組件能夠檢測傳輸組件上的待鍍膜硅片的表面的反射率,轉移組件與檢測組件電連接,轉移組件被配置為根據檢測組件的檢測結果將待鍍膜硅片轉移至對應的石英舟內。本實用新型提供的硅片檢測機構,轉移組件能夠根據檢測組件的檢測結果將待鍍膜硅片轉移至對應的石英舟內,以將待鍍膜硅片分類,每個石英舟對應一種鍍膜工藝參數,每個待鍍膜硅片均能在與其表面的反射率相匹配的工藝參數下進行鍍膜處理,保證了硅片表面的鍍膜效果,產品質量高。
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池生產技術領域,尤其涉及一種硅片檢測機構及鍍膜設備。
背景技術
太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置。在太陽能電池的生產工藝中,太陽能電池通常要經過制絨、擴散、刻蝕、鍍膜、絲網印刷及燒結六大工序。其中,制絨工藝是將硅片放入堿溶液中進行腐蝕,移載硅片表面形成細小的金字塔狀結構,從而減低硅片的反射率,有效的絨面結構可以使入射光在硅片表面多次反射和折射,增加光的吸收,有助于提高電池的性能;鍍膜工藝的目的是采用等離子增強化學氣相沉積的方法在硅片正面鍍氮化硅膜,減少太陽光反射以及對硅片表面起鈍化作用。
但是,在鍍膜過程中,硅片表面的絨面結構的反射率會影響鍍膜的工藝參數,如果選用的鍍膜工藝參數與硅片表面的絨面結構的反射率不匹配,會使鍍膜后的硅片膜色異常,影響硅片的使用性能。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種硅片檢測機構及鍍膜設備,可以檢測硅片表面的絨面結構的反射率,從而選擇相匹配的鍍膜工藝參數,降低硅片膜色異常風險,保證硅片的質量。
如上構思,本實用新型所采用的技術方案是:
一種硅片檢測機構,包括:
傳輸組件,用于承接并傳輸的待鍍膜硅片;
檢測組件,位于所述傳輸組件的上方,所述檢測組件能夠檢測所述傳輸組件上的所述待鍍膜硅片的表面的反射率;
轉移組件,與所述檢測組件電連接,所述轉移組件被配置為根據所述檢測組件的檢測結果將所述待鍍膜硅片轉移至對應的石英舟內。
作為一種硅片檢測機構的優選方案,所述待鍍膜硅片的表面設置有多個預設測試點,所述檢測組件被配置為檢測多個所述預設測試點的反射率。
作為一種硅片檢測機構的優選方案,所述檢測組件包括:
固定支架,設置于所述傳輸組件的上方;
檢測件,滑動設置于所述固定支架上,且所述檢測件能沿垂直于所述傳輸組件的傳輸方向滑動。
作為一種硅片檢測機構的優選方案,所述固定支架上設置有導向滑軌,所述檢測件上設置有導向滑塊,所述導向滑塊滑動配合于所述導向滑軌。
作為一種硅片檢測機構的優選方案,所述硅片檢測機構還包括防偏移組件,所述防偏移組件能夠檢測所述傳輸組件上的所述待鍍膜硅片是否偏移。
作為一種硅片檢測機構的優選方案,所述防偏移組件包括位于所述傳輸組件上方的位置相機,所述位置相機能夠獲取所述傳輸組件上的所述待鍍膜硅片的位置信息。
作為一種硅片檢測機構的優選方案,所述傳輸組件包括:
傳輸支架;
傳輸驅動件,設置于所述傳輸支架上;
主動輥和從動輥,分別轉動設置于所述傳輸支架的兩端,所述傳輸驅動件的輸出端與所述主動輥相連接,以驅動所述主動輥旋轉;
傳輸皮帶,繞設于所述主動輥和所述從動輥,所述傳輸皮帶能夠傳輸所述待鍍膜硅片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





