[實用新型]一種硅片檢測機構及鍍膜設備有效
| 申請號: | 202022887834.2 | 申請日: | 2020-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN213459649U | 公開(公告)日: | 2021-06-15 |
| 發明(設計)人: | 孫津;劉恩華;張晨鑫;姜大俊 | 申請(專利權)人: | 鹽城阿特斯陽光能源科技有限公司;阿特斯陽光電力集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 224000 江蘇省鹽*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 檢測 機構 鍍膜 設備 | ||
1.一種硅片檢測機構,其特征在于,包括:
傳輸組件(1),用于承接并傳輸的待鍍膜硅片(100);
檢測組件(2),位于所述傳輸組件(1)的上方,所述檢測組件(2)能夠檢測所述傳輸組件(1)上的所述待鍍膜硅片(100)的表面的反射率;
轉移組件(3),與所述檢測組件(2)電連接,所述轉移組件(3)被配置為根據所述檢測組件(2)的檢測結果將所述待鍍膜硅片(100)轉移至對應的石英舟(200)內。
2.根據權利要求1所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述待鍍膜硅片(100)的表面設置有多個預設測試點,所述檢測組件(2)被配置為檢測多個所述預設測試點的反射率。
3.根據權利要求1所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述檢測組件(2)包括:
固定支架(21),設置于所述傳輸組件(1)的上方;
檢測件(22),滑動設置于所述固定支架(21)上,且所述檢測件(22)能沿垂直于所述傳輸組件(1)的傳輸方向滑動。
4.根據權利要求3所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述固定支架(21)上設置有導向滑軌,所述檢測件(22)上設置有導向滑塊,所述導向滑塊滑動配合于所述導向滑軌。
5.根據權利要求1所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述硅片檢測機構還包括防偏移組件,所述防偏移組件能夠檢測所述傳輸組件(1)上的所述待鍍膜硅片(100)是否偏移。
6.根據權利要求5所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述防偏移組件包括位于所述傳輸組件(1)上方的位置相機,所述位置相機能夠獲取所述傳輸組件(1)上的所述待鍍膜硅片(100)的位置信息。
7.根據權利要求1所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述傳輸組件(1)包括:
傳輸支架(11);
傳輸驅動件(12),設置于所述傳輸支架(11)上;
主動輥(13)和從動輥(14),分別轉動設置于所述傳輸支架(11)的兩端,所述傳輸驅動件(12)的輸出端與所述主動輥(13)相連接,以驅動所述主動輥(13)旋轉;
傳輸皮帶(15),繞設于所述主動輥(13)和所述從動輥(14),所述傳輸皮帶(15)能夠傳輸所述待鍍膜硅片(100)。
8.根據權利要求7所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述傳輸組件(1)還包括限位件,所述限位件為設置于所述傳輸皮帶(15)兩側的擋板。
9.根據權利要求1-8任一項所述的硅片檢測機構,其特征在于,所述轉移組件(3)包括:
機械手本體(31),位于所述傳輸組件(1)和所述石英舟(200)之間;
吸附部(32),設置于所述機械手本體(31)的端部,所述吸附部(32)能夠吸附所述待鍍膜硅片(100)。
10.一種鍍膜設備,其特征在于,包括如權利要求1-9任一項所述的硅片檢測機構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





