[實用新型]一種高耐候性的PTC熱敏電阻封裝結構有效
| 申請號： | 202022870173.2 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN214175792U | 公開（公告）日： | 2021-09-10 |
| 發明（設計）人： | 陳俊敏 | 申請（專利權）人： | 東莞市競沃電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/02 | 分類號： | H01C7/02;H01C1/034;H01C17/06 |
| 代理公司： | 東莞市神州眾達專利商標事務所(普通合伙) 44251 | 代理人： | 劉漢民 |
| 地址： | 523000 廣東省東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高耐候性 ptc 熱敏電阻 封裝 結構 | ||
1.一種高耐候性的PTC熱敏電阻封裝結構，包括FR-4框(1)、下鎳片電極(2)、涂膠層(3)、芯片上銅箔(8)和外層上銅箔(10)，其特征在于：所述FR-4框(1)頂端的一側安裝有上鎳片電極(5)，FR-4框(1)底端的一側安裝有下鎳片電極(2)，所述FR-4框(1)表面的一側涂抹有涂膠層(3)，且涂膠層(3)表面的一側粘接有環氧樹脂層(4)，所述FR-4框(1)內部的一側放置有PPTC高分子芯片(6)，所述PPTC高分子芯片(6)頂端的一側設置有上半固化PP(7)，且上半固化PP(7)頂端的一側設置有芯片上銅箔(8)，所述芯片上銅箔(8)頂端的一側設置有外層上銅箔(10)，所述上半固化PP(7)與外層上銅箔(10)之間通過盲孔沉銅電鍍工藝導通有上盲孔(9)。
2.根據權利要求1所述的一種高耐候性的PTC熱敏電阻封裝結構，其特征在于：所述PPTC高分子芯片(6)底端的一側設置有下半固化PP(11)，且下半固化PP(11)底端的一側設置有芯片下銅箔(12)。
3.根據權利要求2所述的一種高耐候性的PTC熱敏電阻封裝結構，其特征在于：所述芯片下銅箔(12)底端的一側設置有外層下銅箔(14)，所述外層下銅箔(14)與下半固化PP(11)之間通過盲孔沉銅電鍍工藝導通有下盲孔(13)。
4.根據權利要求1所述的一種高耐候性的PTC熱敏電阻封裝結構，其特征在于：所述FR-4框(1)、外層上銅箔(10)以及外層下銅箔(14)采用標準回流焊接及組裝治具，將外層上銅箔(10)、外層下銅箔(14)跟PPTC高分子芯片(6)焊接在一起。
5.根據權利要求3所述的一種高耐候性的PTC熱敏電阻封裝結構，其特征在于：所述下盲孔(13)和上盲孔(9)的直徑大小為0.3～0.5mm，沉銅電鍍層厚度大于15um,使高分子芯片的上銅箔和外層上銅箔導通。
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