[實用新型]NLDMOS器件、鋰電保護器件、芯片及電子產品

有效

• 申請號: 202022856892.9
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN213878100U
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發明（設計）人: 宋利軍;張子敏
• 申請（專利權）人: 無錫先瞳半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01M10/42;H01M10/052
• 代理公司: 廣東君龍律師事務所 44470
• 代理人: 朱鵬

本實用新型提供一種NLDMOS器件，還提供了一種鋰電保護器件、芯片及電子產品。其中實施例中NLDMOS器件包括BN區域；位于所述BN區域上方的N型阱區；位于所述N型阱區的深孔區域，所述深孔區域連接所述BN區域，且在所述深孔區域填充金屬引出漏極，從而使得漏極N+區域與所述BN區域導通；本實用新型縮小了NLDMOS器件的面積。

技術領域

本實用新型涉及鋰電保護領域，尤其涉及一種NLDMOS器件，以及鋰電保護器件、芯片及電子產品。

背景技術

傳統的鋰電池保護器件，只是常規的功率器件，在實際應用方案中，必須外置一顆高精度的取樣電阻，通過對取樣電阻上的電壓取樣，才能實現對電路的精準控制。

但是對于大容量的電池來說，取樣電阻的電阻值會極大的增加整個回路中的總電阻值，從而增加系統的功耗，極大的降低了整機的待機時間。那么，對于大容量電池，如何解決取樣電阻的電阻值影響回路中的總電阻值，而導致整機待機時間下降的問題，是需要解決的問題。

實用新型內容

本實用新型提供一種鋰電保護器件，解決現有技術中，取樣電阻的電阻值影響回路中的總電阻值，而導致整機待機時間下降的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的一個技術方案是提供一種NLDMOS器件，包括

BN區域；

位于所述BN區域上方的N型阱區；

位于所述N型阱區的深孔區域，所述深孔區域連接所述BN區域，且在所述深孔區域填充金屬引出漏極，從而使得漏極N+區域與所述 BN區域導通。

進一步的，所述NLDMOS器件的結構還包括：第一P型阱區和第二P型阱區，其中第一P型阱區和第二P型阱區分別位于所述深孔區域兩側。

進一步的，所述NLDMOS器件的結構還包括：

第一N型源區和第一P+型接觸區，所述第一N型源區和第一P+ 型接觸區并排位于所述第一P型阱區中；

第二N型源區和第二P+型接觸區，所述第二N型源區和第二P+ 型接觸區并排位于所述第二P型阱區中。

進一步的，所述NLDMOS器件的結構還包括：

第一源極，所述第一源極從所述第一N型源區和第一P+型接觸區引出；

第二源極，所述第二源極從所述第二N型源區和第二P+型接觸區引出。

進一步的，所述NLDMOS器件的結構還包括：

第一柵極，所述第一柵極位于所述第一源極和所述漏極之間；

第二柵極，所述第二柵極位于所述第二源極和所述漏極之間。

為解決上述技術問題，本實用新型采用的另一個技術方案是提供一種鋰電保護器件，所述器件用于鋰電保護，所述器件由多個NLDMOS 器件集成，所述多個相鄰的NLDMOS器件有共同的柵極和漏極，且每個所述NLDMOS器件有單獨的源極，所述NLDMOS器件包括：

BN區域；

位于所述BN區域上方的N型阱區；

位于所述N型阱區的深孔區域，所述深孔區域連接所述BN區域，且在所述深孔區域填充金屬引出漏極，從而使得漏極N+區域與所述 BN區域導通。

進一步的，所述NLDMOS器件的結構還包括：第一P型阱區和第二P型阱區，其中第一P型阱區和第二P型阱區分別位于所述深孔區域兩側。

進一步的，所述NLDMOS器件的結構還包括：