[實用新型]NLDMOS器件、鋰電保護器件、芯片及電子產(chǎn)品

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022856892.9
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN213878100U
• 公開（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋利軍;張子敏
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫先瞳半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01M10/42;H01M10/052
• 代理公司: 廣東君龍律師事務(wù)所 44470
• 代理人: 朱鵬

1.一種NLDMOS器件，其特征在于：所述器件包括：

BN區(qū)域；

位于所述BN區(qū)域上方的N型阱區(qū)；

位于所述N型阱區(qū)的深孔區(qū)域，所述深孔區(qū)域連接所述BN區(qū)域，且在所述深孔區(qū)域填充金屬引出漏極，從而使得漏極N+區(qū)域與所述BN區(qū)域?qū)ā?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：第一P型阱區(qū)和第二P型阱區(qū)，其中第一P型阱區(qū)和第二P型阱區(qū)分別位于所述深孔區(qū)域兩側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：

第一N型源區(qū)和第一P+型接觸區(qū)，所述第一N型源區(qū)和第一P+型接觸區(qū)并排位于所述第一P型阱區(qū)中；

第二N型源區(qū)和第二P+型接觸區(qū)，所述第二N型源區(qū)和第二P+型接觸區(qū)并排位于所述第二P型阱區(qū)中。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：

第一源極，所述第一源極從所述第一N型源區(qū)和第一P+型接觸區(qū)引出；

第二源極，所述第二源極從所述第二N型源區(qū)和第二P+型接觸區(qū)引出。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：

第一柵極，所述第一柵極位于所述第一源極和所述漏極之間；

第二柵極，所述第二柵極位于所述第二源極和所述漏極之間。

6.一種鋰電保護器件，其特征在于，所述器件用于鋰電保護，所述器件由多個NLDMOS器件集成，所述多個相鄰的NLDMOS器件有共同的柵極和漏極，且每個所述NLDMOS器件有單獨的源極，所述NLDMOS器件包括：

BN區(qū)域；

位于所述BN區(qū)域上方的N型阱區(qū)；

位于所述N型阱區(qū)的深孔區(qū)域，所述深孔區(qū)域連接所述BN區(qū)域，且在所述深孔區(qū)域填充金屬引出漏極，從而使得漏極N+區(qū)域與所述BN區(qū)域?qū)ā?/p>

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：第一P型阱區(qū)和第二P型阱區(qū)，其中第一P型阱區(qū)和第二P型阱區(qū)分別位于所述深孔區(qū)域兩側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：

第一N型源區(qū)和第一P+型接觸區(qū)，所述第一N型源區(qū)和第一P+型接觸區(qū)并排位于所述第一P型阱區(qū)中；

第二N型源區(qū)和第二P+型接觸區(qū)，所述第二N型源區(qū)和第二P+型接觸區(qū)并排位于所述第二P型阱區(qū)中。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：

第一源極，所述第一源極從所述第一N型源區(qū)和第一P+型接觸區(qū)引出；

第二源極，所述第二源極從所述第二N型源區(qū)和第二P+型接觸區(qū)引出。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述NLDMOS器件的結(jié)構(gòu)還包括：

第一柵極，所述第一柵極位于所述第一源極和所述漏極之間；

第二柵極，所述第二柵極位于所述第二源極和所述漏極之間。

11.一種芯片，其特征在于，所述芯片包括權(quán)利要求6至權(quán)利要求10任一一項所述的用于鋰電保護的器件。

12.一種電子產(chǎn)品，其特征在于，所述電子產(chǎn)品包括權(quán)利要求11 所述的芯片。