[實用新型]一種納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏

有效

• 申請號: 202022850366.1
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN214122938U
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 潘瑩瑩;林儀珊;莊桂生;李曉明
• 申請（專利權）人: 深圳市華科創智技術有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 深圳國海智峰知識產權代理事務所(普通合伙) 44489
• 代理人: 王慶海;劉軍鋒

本實用新型涉及納米銀導電膜領域，尤其涉及一種可降低納米銀膜通道失效率的納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏。本實用新型的納米銀導電膜，導電膜上分別蝕刻有TX方向激光圖案和RX方向激光圖案，導電膜沿TX方向分為中間部分和邊緣部分，中間部分TX方向激光圖案的線距大于邊緣部分TX方向激光圖案的線距。本實用新型通過微擴TX方向蝕刻激光圖案中間部分的線距，可在維持電流強度、不影響觸控效果的條件下，弱化電流沖擊對納米銀形態的破壞，可更為有效地維持納米銀線連接強度及形態，降低TX方向導電膜中部納米銀線層的失效率，進而控制電阻在穩定范圍，延長電容屏的使用壽命。

技術領域

本實用新型涉及納米銀導電膜領域，尤其涉及一種可降低納米銀膜通道失效率的納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏。

背景技術

隨著科技的不斷發展，觸摸屏作為一種簡單、便捷的人機交互方式，已經廣泛應用于我們日常生活的各個領域，同時隨著人們要求的不斷提高，觸摸屏正向著大尺寸、高解析度、輕、薄、可彎曲、低成本等方向發展。銀納米線因其具有金屬銀的高導電性、絕佳的柔韌性，是超大尺寸、柔性觸摸屏的透明電極材料的最佳選擇。

現有的大尺寸納米銀電容屏，導電膜RX方向是單邊通電方式，導電膜TX方向由于其橫向寬度大，采用的是雙邊通電方式；現有的TX方向蝕刻的激光圖案為等寬等距的，如圖1所示。由此，涉及到導電膜TX方向通電作用后，在蝕刻通道的中間位置(等寬等距)，雙向電流的流入瞬時值增大，交匯處的電流沖擊容易造成該處的納米銀線濺射成小線棒，銀線間的物理結合變差，接觸面積變小，使得該處的接觸電阻增大，易影響觸控效果。

實用新型內容

針對以上技術問題，本實用新型提供一種納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏，通過對TX方向激光圖案進行調整，來降低納米銀膜通道失效率，進而解決現有的大尺寸電容屏中部觸控點位易失效的問題，降低該處接觸電阻，有效延長電容屏的使用壽命。

本實用新型采用以下技術方案：

一種納米銀導電膜，導電膜上分別蝕刻有TX方向激光圖案和RX方向激光圖案，導電膜沿TX方向分為中間部分和邊緣部分，中間部分TX方向激光圖案的線距大于邊緣部分TX方向激光圖案的線距。

進一步的，中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分TX方向激光圖案的線距加寬0.2-0.3mm。

進一步的，75寸的導電膜中，中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分 TX方向激光圖案的線距加寬0.2mm。

進一步的，86寸的導電膜中，中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分 TX方向激光圖案的線距加寬0.2-0.24mm。

進一步的，98寸的導電膜中，中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分 TX方向激光圖案的線距加寬0.24-0.3mm。

進一步的，中間部分占據導電膜TX方向范圍的20-22％。

本實用新型還提供一種大尺寸納米銀電容屏，包括基板和設置于基板上的如上所述的納米銀導電膜。

本實用新型的納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏，通過微擴TX方向蝕刻激光圖案中間部分的線距，可在維持電流強度、不影響觸控效果的條件下，弱化電流沖擊對納米銀形態的破壞，可更為有效地維持納米銀線連接強度及形態，降低TX方向導電膜中部納米銀線層的失效率，進而控制方阻在穩定范圍，延長電容屏的使用壽命。

附圖說明

為了更清楚的說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見的，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它附圖。

圖1為現有技術中納米銀導電膜蝕刻激光圖案示意圖；