[實用新型]一種納米銀導電膜及大尺寸納米銀電容屏有效
| 申請號： | 202022850366.1 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN214122938U | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發明（設計）人： | 潘瑩瑩;林儀珊;莊桂生;李曉明 | 申請（專利權）人： | 深圳市華科創智技術有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/044 | 分類號： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 深圳國海智峰知識產權代理事務所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 王慶海;劉軍鋒 |
| 地址： | 518116 廣東省深圳市龍崗區寶龍街道*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 納米 導電 尺寸 電容 | ||
【權利要求書】：
1.一種納米銀導電膜，其特征在于，所述導電膜上分別蝕刻有TX方向激光圖案和RX方向激光圖案，所述導電膜沿TX方向分為中間部分和邊緣部分，所述中間部分TX方向激光圖案的線距大于邊緣部分TX方向激光圖案的線距。
2.根據權利要求1所述的納米銀導電膜，其特征在于，所述中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分TX方向激光圖案的線距加寬0.2-0.3mm。
3.根據權利要求2所述的納米銀導電膜，其特征在于，75寸的導電膜中，所述中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分TX方向激光圖案的線距加寬0.2mm。
4.根據權利要求2所述的納米銀導電膜，其特征在于，86寸的導電膜中，所述中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分TX方向激光圖案的線距加寬0.2-0.24mm。
5.根據權利要求2所述的納米銀導電膜，其特征在于，98寸的導電膜中，所述中間部分TX方向激光圖案的線距比邊緣部分TX方向激光圖案的線距加寬0.24-0.3mm。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的納米銀導電膜，其特征在于，所述中間部分占據所述導電膜TX方向范圍的20-22％。
7.一種大尺寸納米銀電容屏，其特征在于，包括基板和設置于所述基板上的如權利要求1-6任一項所述的納米銀導電膜。
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