[實(shí)用新型]一種用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022846268.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN213934663U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉錫鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/567
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 無(wú)錫華源專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32228
• 代理人: 聶啟新

1.一種用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路，其特征在于，所述電流修調(diào)電路并聯(lián)在電流鏡MOSFET的源極和漏極，所述電流修調(diào)電路包括多組并聯(lián)的支路，每組支路結(jié)構(gòu)相同，均包括開(kāi)關(guān)和MOSFET管，所述開(kāi)關(guān)的第一端連接所述MOSFET管的源極，各個(gè)所述開(kāi)關(guān)的第二端依次相連，且所述第二端的共端連接所述電流鏡MOSFET的源極，各個(gè)所述MOSFET管的漏極依次相連，且所述MOSFET管的漏極共端連接所述電流鏡MOSFET的漏極，各個(gè)所述MOSFET管的柵極均接入與所述電流鏡MOSFET的柵極相同的偏置電壓，所述電流鏡MOSFET的源極與所述電流修調(diào)電路的共端還連接電源，所述電流鏡MOSFET的漏極與所述電流修調(diào)電路的共端還通過(guò)電阻接地，所述開(kāi)關(guān)用于調(diào)整所述電流修調(diào)電路各支路的修調(diào)電流，進(jìn)而調(diào)整所述電阻的輸出電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路，其特征在于，所述MOSFET管的溝道長(zhǎng)度與所述電流鏡MOSFET的溝道長(zhǎng)度相同，第K條支路的所述MOSFET管的溝道寬度為2^K-1n′，其中n′表示第一條支路的MOSFET管的溝道寬度，并根據(jù)所述修調(diào)電流的最小分辨電流進(jìn)行取值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路，其特征在于，通過(guò)引出焊盤(pán)端口制作所述開(kāi)關(guān)。