[實(shí)用新型]一種用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202022846268.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN213934663U
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉錫鋒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院
• 主分類號(hào): G05F1/567
• 分類號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 無(wú)錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32228
• 代理人: 聶啟新

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路，涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，電流修調(diào)電路并聯(lián)在電流鏡MOSFET的源極和漏極，電流修調(diào)電路包括多組并聯(lián)的支路，每組支路結(jié)構(gòu)相同包括開(kāi)關(guān)和MOSFET管，開(kāi)關(guān)的第一端連接MOSFET管的源極，各個(gè)開(kāi)關(guān)的第二端依次相連，各個(gè)MOSFET管的漏極依次相連，各個(gè)MOSFET管的柵極接入與電流鏡MOSFET的柵極相同的偏置電壓，電流鏡MOSFET的源極連接電源，電流鏡MOSFET的漏極通過(guò)電阻接地，開(kāi)關(guān)用于調(diào)整各支路的修調(diào)電流，進(jìn)而調(diào)整電阻的輸出電壓。通過(guò)對(duì)MOSFET管進(jìn)行修調(diào)大大降低了芯片面積，采用開(kāi)關(guān)修調(diào)實(shí)現(xiàn)無(wú)次數(shù)限制修調(diào)且修調(diào)數(shù)值根據(jù)要求進(jìn)行增加或減少。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路。

背景技術(shù)

帶隙基準(zhǔn)電路能夠輸出一個(gè)不隨電源電壓和溫度變化而變化的基準(zhǔn)電壓。輸出基準(zhǔn)電壓對(duì)溫度變化的敏感度是帶隙基準(zhǔn)電路的重要技術(shù)參數(shù)，即溫度系數(shù)。

理論上設(shè)計(jì)合理的帶隙基準(zhǔn)電路具有良好的溫度系數(shù)和線性度。但由于集成電路制造工藝中工序步驟繁多，電路中使用到的各個(gè)器件不可避免地會(huì)產(chǎn)生誤差。這些工藝誤差的積累最終會(huì)導(dǎo)致輸出電壓的數(shù)值、溫度系數(shù)等參數(shù)達(dá)不到設(shè)計(jì)要求。

為了解決這個(gè)問(wèn)題，修調(diào)電路通常在帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)中必不可少。通過(guò)合理調(diào)整修調(diào)電路，對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行修正調(diào)節(jié)，最終使得實(shí)際生產(chǎn)完成的芯片的輸出基準(zhǔn)電壓各項(xiàng)參數(shù)符合設(shè)計(jì)要求。

如圖1所示，傳統(tǒng)修調(diào)電路通常是對(duì)電阻進(jìn)行修調(diào)，占用大量芯片面積。并且傳統(tǒng)修調(diào)電路多用熔絲修調(diào)，這導(dǎo)致修調(diào)過(guò)程不可逆，且只能修調(diào)一次。當(dāng)一次修調(diào)完成后，因工作環(huán)境變化、使用時(shí)間過(guò)長(zhǎng)后引起輸出電壓參數(shù)不穩(wěn)時(shí)，熔絲修調(diào)電路無(wú)法再次對(duì)電路輸出電壓進(jìn)行修正。

實(shí)用新型內(nèi)容

本發(fā)明人針對(duì)上述問(wèn)題及技術(shù)需求，提出了一種用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路，本申請(qǐng)將傳統(tǒng)的電阻修調(diào)改為對(duì)MOSFET進(jìn)行修調(diào)，大大降低了芯片面積，將熔絲修調(diào)改為開(kāi)關(guān)修調(diào)，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)次數(shù)限制修調(diào)且修調(diào)數(shù)值可以根據(jù)要求進(jìn)行增加或減少。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

一種用于帶隙基準(zhǔn)的電流修調(diào)電路，電流修調(diào)電路并聯(lián)在電流鏡MOSFET的源極和漏極，電流修調(diào)電路包括多組并聯(lián)的支路，每組支路結(jié)構(gòu)相同，均包括開(kāi)關(guān)和MOSFET管，開(kāi)關(guān)的第一端連接MOSFET管的源極，各個(gè)開(kāi)關(guān)的第二端依次相連，且第二端的共端連接電流鏡MOSFET的源極，各個(gè)MOSFET管的漏極依次相連，且MOSFET管的漏極共端連接電流鏡MOSFET的漏極，各個(gè)MOSFET管的柵極均接入與電流鏡MOSFET的柵極相同的偏置電壓，電流鏡MOSFET的源極與電流修調(diào)電路的共端還連接電源，電流鏡MOSFET的漏極與電流修調(diào)電路的共端還通過(guò)電阻接地，開(kāi)關(guān)用于調(diào)整電流修調(diào)電路各支路的修調(diào)電流，進(jìn)而調(diào)整電阻的輸出電壓。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，MOSFET管的溝道長(zhǎng)度與電流鏡MOSFET的溝道長(zhǎng)度相同，第K條支路的MOSFET管的溝道寬度為2^K-1n′，其中n′表示第一條支路的MOSFET管的溝道寬度，并根據(jù)修調(diào)電流的最小分辨電流進(jìn)行取值。

其進(jìn)一步的技術(shù)方案為，通過(guò)引出焊盤端口制作開(kāi)關(guān)。

本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是：

本申請(qǐng)的電流修調(diào)電路完全兼容于普通BCD工藝，采用了開(kāi)關(guān)修調(diào)的方式，避免了熔絲修調(diào)的一次性修調(diào)和不可逆修調(diào)，可移式實(shí)現(xiàn)無(wú)次數(shù)限制修調(diào)且修調(diào)數(shù)值可以根據(jù)要求進(jìn)行增加或減少；由于該修調(diào)電路是電流修調(diào)，而非傳統(tǒng)的電阻修調(diào)，避免了使用面積比較大的電阻陣列，只需要若干個(gè)占面積較小的MOSFET管即可，從而大大降低了芯片面積。

附圖說(shuō)明

圖1是傳統(tǒng)的電阻-熔絲串聯(lián)結(jié)構(gòu)電壓式修調(diào)電路及其工作示意圖。

圖2是本申請(qǐng)?zhí)峁┑拈_(kāi)關(guān)-MOSFET管并聯(lián)結(jié)構(gòu)電流式修調(diào)電路及其工作示意圖。