[實用新型]一種可抑制非線性電容的功率半導體結構

有效

• 申請號: 202022846007.9
• 申請日: 2020-12-02
• 公開（公告）號: CN214797399U
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 鄭裕玲;周琦;王亞寧
• 申請（專利權）人: 陜西斯凱迪物聯科技有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/26;A62C3/16
• 代理公司: 西安吉盛專利代理有限責任公司 61108
• 代理人: 張馳

1.一種可抑制非線性電容的功率半導體結構，包括電容功率半導體本體（1）和多個導電插針（2），其特征在于，多個所述導電插針（2）的外壁共同活動套接有連接板（3），所述連接板（3）的上表面與電容功率半導體本體（1）的下表面固定連接，所述連接板（3）的上表面開設有與導電插針（2）外壁相配合的圓孔，多個所述導電插針（2）的桿壁活動套接有限位套（4），所述限位套（4）的上表面與連接板（3）的下表面固定連接，所述連接板（3）的上表面活動連接有連接筒（5），所述連接筒（5）的上表面固定連接有頂蓋（7），所述連接筒（5）的下表面固定連接有鐵片（6），所述鐵片（6）的下表面穿過連接板（3）的下表面，所述連接板（3）的上表面開設有多組對稱分布的固定孔（8），所述頂蓋（7）的內壁固定連接有防護機構（9）。

2.根據權利要求1所述的一種可抑制非線性電容的功率半導體結構，其特征在于，所述防護機構（9）包括與頂蓋（7）內壁固定連接的橡膠膜（91），所述橡膠膜（91）的內側壁與頂蓋（7）的下表面形成的空腔內填充有滅火干粉（92），所述頂蓋（7）的外壁固定連通有兩個對稱分布的透氣管（93）。

3.根據權利要求1所述的一種可抑制非線性電容的功率半導體結構，其特征在于，所述連接板（3）和限位套（4）的材料均為絕緣陶瓷。

4.根據權利要求1所述的一種可抑制非線性電容的功率半導體結構，其特征在于，所述連接筒（5）的材料為鋼化玻璃。

5.根據權利要求1所述的一種可抑制非線性電容的功率半導體結構，其特征在于，所述連接板（3）的上表面固定連接有擋環（10），所述擋環（10）的內壁與連接筒（5）的內壁活動連接。

6.根據權利要求1所述的一種可抑制非線性電容的功率半導體結構，其特征在于，所述頂蓋（7）的材料為不銹鋼。