[實用新型]一種可抑制非線性電容的功率半導體結構有效
| 申請號: | 202022846007.9 | 申請日: | 2020-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN214797399U | 公開(公告)日: | 2021-11-19 |
| 發明(設計)人: | 鄭裕玲;周琦;王亞寧 | 申請(專利權)人: | 陜西斯凱迪物聯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/48 | 分類號: | H01L23/48;H01L23/26;A62C3/16 |
| 代理公司: | 西安吉盛專利代理有限責任公司 61108 | 代理人: | 張馳 |
| 地址: | 710077 陜西省西安市*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 可抑制 非線性 電容 功率 半導體 結構 | ||
本實用新型涉及電容技術領域,且公開了一種可抑制非線性電容的功率半導體結構,包括電容功率半導體本體和多個導電插針,多個導電插針的外壁共同活動套接有連接板,連接板的上表面與電容功率半導體本體的下表面固定連接,連接板的上表面開設有與導電插針外壁相配合的圓孔,多個導電插針的桿壁活動套接有限位套,限位套的上表面與連接板的下表面固定連接,連接板的上表面活動連接有連接筒,連接筒的上表面固定連接有頂蓋,連接筒的下表面固定連接有鐵片。本實用新型能夠有效提高電容功率半導體結構的防護能力,并保障其工作的安全性和可靠性,以及使電容功率半導體結構具有滅火功能,并能夠避免造成較大經濟損失的情況。
技術領域
本實用新型涉及電容技術領域,尤其涉及一種可抑制非線性電容的功率半導體結構。
背景技術
可抑制非線性電容的功率半導體結構通常為功率半導體器件,功率半導體器件是不斷發展的功率電子系統的內在驅動力,尤其在節約能源、動態控制、噪音減少等方面,在過去的三十年里,功率器件取得了飛躍式的發展,特別是功率金屬氧化物半導體場效應管,為了拓寬其應用領域,滿足低功耗需求,必須有效的降低導通損耗與開關損耗,檢索授權公眾號CN210073858U一種可抑制非線性電容的功率半導體器件可知,可抑制非線性電容的功率半導體結構一般由漏極金屬層、N型襯底、N型外延層、溝槽、場氧層、屏蔽柵、柵極、接觸孔、P型體區、N型源區、絕緣介質層和源極金屬層組成。
現有的電容功率半導體器件的導電插針容易彎曲,甚至會觸碰發生短路,影響電容功率半導體器件工作的安全性和可靠性,以及電容功率半導體器件防護能力較差,若發生爆炸起火的時候火勢容易擴散到其他器件上,并會造成較大的經濟損失。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中電容功率半導體器件的導電插針容易彎曲,甚至會觸碰發生短路,影響電容功率半導體器件工作的安全性和可靠性,以及電容功率半導體器件防護能力較差,若發生爆炸起火時火勢容易擴散到其他器件的問題,而提出的一種可抑制非線性電容的功率半導體結構。
為了實現上述目的,本實用新型采用了如下技術方案:
一種可抑制非線性電容的功率半導體結構,包括電容功率半導體本體和多個導電插針,多個所述導電插針的外壁共同活動套接有連接板,所述連接板的上表面與電容功率半導體本體的下表面固定連接,所述連接板的上表面開設有與導電插針外壁相配合的圓孔,多個所述導電插針的桿壁活動套接有限位套,所述限位套的上表面與連接板的下表面固定連接,所述連接板的上表面活動連接有連接筒,所述連接筒的上表面固定連接有頂蓋,所述連接筒的下表面固定連接有鐵片,所述鐵片的下表面穿過連接板的下表面,所述連接板的上表面開設有多組對稱分布的固定孔,所述頂蓋的內壁固定連接有防護機構。
優選的,所述防護機構包括與頂蓋內壁固定連接的橡膠膜,所述橡膠膜的內側壁與頂蓋的下表面形成的空腔內填充有滅火干粉,所述頂蓋的外壁固定連通有兩個對稱分布的透氣管。
優選的,所述連接板和限位套的材料均為絕緣陶瓷。
優選的,所述連接筒的材料為鋼化玻璃。
優選的,所述連接板的上表面固定連接有擋環,所述擋環的內壁與連接筒的內壁活動連接。
優選的,所述頂蓋的材料為不銹鋼。
與現有技術相比,本實用新型提供了一種可抑制非線性電容的功率半導體結構,具備以下有益效果:
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