[實用新型]一種等離子體化學氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 202022845096.5
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN213951340U
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 毛格;熊攀;王永平
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: C23C16/50
• 分類號: C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李洋;張穎玲

本申請實施例提供一種等離子體化學氣相沉積裝置，所述裝置包括：沉積室；與所述沉積室頂部的等離子體噴頭連接的等離子體發生器，用于產生等離子體，并通過所述等離子體噴頭向所述沉積室底部的基臺的表面噴射所述等離子體；與所述基臺連接的分壓模塊，用于通過調節所述等離子體噴頭與所述基臺之間的電場強度，以調節所述等離子體的成膜速率。

技術領域

本申請涉及化學氣相沉積技術領域，涉及但不限于一種等離子體化學氣相沉積裝置。

背景技術

在半導體工藝鎢通孔(Tungsten，W contact)中，通常使用鈦先形成鈦硅化合物(TiSix)，以降低接觸電阻，然后使用氮化鈦(TiN)作為粘附層。傳統工藝中，通過等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)反應的方式，在較高溫度和射頻(Radio Frequency，RF)激發的等離子體(Plasma)的作用下，形成in-situ(原位)的TiSix。這種方式不僅有較高的階梯覆蓋率，且減少了產品的制備周期，降低產品成本。但是，在傳統PECVD過程中，隨著腔體(Chamber)中產品晶圓的持續生產，腔體壁累積膜的厚度會不斷增加，這勢必會影響到晶圓上的薄膜生長速率，從而影響傳統PECVD所生產的產品的穩定性。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例提供一種等離子體化學氣相沉積裝置。

本申請的技術方案是這樣實現的：

本申請實施例提供一種等離子體化學氣相沉積裝置，包括：

沉積室；

與所述沉積室頂部的等離子體噴頭連接的等離子體發生器，用于產生等離子體，并通過所述等離子體噴頭向所述沉積室底部的基臺的表面噴射所述等離子體；

與所述基臺連接的分壓模塊，用于通過調節所述等離子體噴頭與所述基臺之間的電場強度，以調節所述等離子體的成膜速率。

在一些實施例中，所述分壓模塊包括：分壓電阻，所述分壓電阻包括至少一個可調電阻；

所述可調電阻的一端與所述基臺連接，所述可調電阻的另一端接地。

在一些實施例中，所述分壓模塊包括：分壓電容，所述分壓電容包括至少一個可調電容；

所述可調電容的一端與所述基臺連接，所述可調電容的另一端接地

在一些實施例中，所述分壓模塊包括：依次并聯的至少一個分壓電阻和至少一個分壓電容，或者，依次串聯的至少一個所述分壓電阻和至少一個所述分壓電容；

其中，在所述并聯的至少一個分壓電阻和至少一個分壓電容中，每一所述分壓電阻和每一所述分壓電容的一端與所述基臺連接，且每一所述分壓電阻和每一所述分壓電容的另一端接地。

在一些實施例中，所述分壓模塊包括：可調電位器；所述可調電位器的中間引腳與所述基臺連接，所述可調電位器的任一端引腳接地。

在一些實施例中，所述分壓模塊包括但不限于以下之一：

依次并聯的至少一個分壓電阻和至少一個可調電位器；

依次并聯的至少一個分壓電容和至少一個所述可調電位器；

依次并聯的至少一個所述分壓電組、至少一個所述分壓電容和至少一個所述可調電位器；

依次串聯的至少一個所述分壓電組、至少一個所述分壓電容和至少一個所述可調電位器。

在一些實施例中，所述裝置還包括控制模塊，所述控制模塊分別與所述等離子體噴頭、所述基臺和所述分壓模塊連接；