[實用新型]一種等離子體化學氣相沉積裝置有效
| 申請號: | 202022845096.5 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN213951340U | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發明(設計)人: | 毛格;熊攀;王永平 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 李洋;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子體 化學 沉積 裝置 | ||
1.一種等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,包括:
沉積室;
與所述沉積室頂部的等離子體噴頭連接的等離子體發生器,用于產生等離子體,并通過所述等離子體噴頭向所述沉積室底部的基臺的表面噴射所述等離子體;
與所述基臺連接的分壓模塊,用于通過調節所述等離子體噴頭與所述基臺之間的電場強度,以調節所述等離子體的成膜速率。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述分壓模塊包括:分壓電阻,所述分壓電阻包括至少一個可調電阻;
所述可調電阻的一端與所述基臺連接,所述可調電阻的另一端接地。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述分壓模塊包括:分壓電容,所述分壓電容包括至少一個可調電容;
所述可調電容的一端與所述基臺連接,所述可調電容的另一端接地。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述分壓模塊包括:依次并聯的至少一個分壓電阻和至少一個分壓電容,或者,依次串聯的至少一個所述分壓電阻和至少一個所述分壓電容;
其中,在所述并聯的至少一個分壓電阻和至少一個分壓電容中,每一所述分壓電阻和每一所述分壓電容的一端與所述基臺連接,且每一所述分壓電阻和每一所述分壓電容的另一端接地。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述分壓模塊包括:可調電位器;所述可調電位器的中間引腳與所述基臺連接,所述可調電位器的任一端引腳接地。
6.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述分壓模塊包括但不限于以下之一:
依次并聯的至少一個分壓電阻和至少一個可調電位器;
依次并聯的至少一個分壓電容和至少一個所述可調電位器;
依次并聯的至少一個所述分壓電組、至少一個所述分壓電容和至少一個所述可調電位器;
依次串聯的至少一個所述分壓電組、至少一個所述分壓電容和至少一個所述可調電位器。
7.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括控制模塊,所述控制模塊分別與所述等離子體噴頭、所述基臺和所述分壓模塊連接;
所述控制模塊用于當所述等離子體噴頭與所述基臺之間的電場強度增大時,對應增大所述分壓模塊的電壓,以將所述等離子體噴頭與所述基臺之間的所述電場強度減小至預設的電場強度,其中,在所述預設的電場強度下所述等離子體的成膜速率為預設的成膜速率。
8.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述裝置還包括:電壓探測元件,所述電壓探測元件連接于所述分壓模塊的兩端,用于檢測所述分壓模塊兩端的電壓。
9.根據權利要求8所述的裝置,其特征在于,所述電壓探測元件包括:電壓表或者示波器。
10.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述等離子體發生器至少包括射頻電極,所述射頻電極的一端與電源電壓連接,所述射頻電極的另一端與所述等離子體噴頭連接,所述射頻電極用于對預設類型的氣體進行電離處理,以產生所述等離子體。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





