[實用新型]半導體工藝設備及其工藝腔室

有效

• 申請號: 202022808460.0
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN213691971U
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 馬建強;張寶輝;王福來
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/365
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本申請公開了一種半導體工藝設備及其工藝腔室，其中工藝腔室包括腔室本體，腔室本體內部具有反應腔，反應腔內設置有加熱器和噴頭部，待加工的晶片固定在加熱器上，加熱器能夠對待加工晶片進行加熱，噴頭部包括噴射頭和連接柱，噴射頭設置在反應腔內，噴射頭上的出氣口朝向加熱器，噴頭部能夠將工藝氣體噴射到位于加熱器上的待加工晶片表面，以在晶片表面形成一層沉積膜，連接柱的一端與噴頭部連接，另一端穿過腔室本體的上蓋延伸至反應腔外，工藝腔室外設置有升降部。本申請中通過將用于控制噴頭部的噴射頭與加熱器間距的升降部設置在反應腔外，在調節噴射頭和加熱器間距時可以不必打開反應腔，減少了反應腔內環境受到污染的可能性。

技術領域

本申請涉及半導體設備領域，特別涉及一種半導體工藝設備及其工藝腔室。

背景技術

氣相沉積設備中的噴頭部與加熱裝置之間的間距是決定沉積效果的重要因素，在沉積過程中需要根據實際情況調節噴頭部與加熱裝置之間的間距，現有的噴頭部高度調節機構是設置在反應腔內，調節難度大。

實用新型內容

本申請提出了一種半導體工藝設備中的工藝腔室，包括：腔室本體，所述腔室本體內部具有反應腔；

加熱器，所述加熱器設置在所述反應腔內；

噴頭部，所述噴頭部包括噴射頭和連接柱，所述噴射頭設置在所述反應腔內，所述噴射頭上的出氣口朝向所述加熱器，所述連接柱的一端與所述噴射頭連接，另一端穿過所述腔室本體的上蓋延伸至所述反應腔外；

升降部，所述升降部設置在所述上蓋上，與所述連接柱連接，用于移動所述連接柱，進而調整所述噴射頭與所述加熱器之間的距離。

進一步的，所述升降部包括平行于所述上蓋設置的壓板和立設在所述上蓋上的升降桿，所述壓板與所述連接柱固定連接，所述升降桿與所述壓板可移動的連接，所述升降桿能夠驅動所述壓板沿所述升降桿的延伸方向移動，進而移動所述連接柱。

進一步的，所述壓板上開設有螺孔，所述升降桿為頂絲，所述升降桿的一端穿過所述壓板上的螺孔后與所述上蓋的上表面相接，另一端上設置有固定螺母。

進一步的，所述壓板套裝在所述連接柱上，所述連接柱上具有與所述壓板的端面抵接的臺階面，所述連接柱上還設置有緊壓件將所述壓板壓設在所述連接柱的臺階面上。

進一步的，還包括立設在所述上蓋上的導向桿，所述導向桿穿過所述壓板后與所述上蓋連接。

進一步的，所述升降桿和所述導向桿有多個，多個所述升降桿繞所述壓板的中心環形陣列設置，多個所述導向桿也繞所述壓板的中心環形陣列設置。

進一步的，所述上蓋上開設有臺階狀的隔離件安裝孔，所述隔離件安裝孔內可拆卸的設置有與所述隔離件安裝孔配合的噴頭部隔離件，所述連接柱穿過所述噴頭部隔離件延伸至所述反應腔外。

進一步的，所述噴頭部隔離件的上端面與所述上蓋的上表面齊平，所述上蓋的上表面與所述噴頭部隔離件的上端面的連接處壓設有隔離件固定環，所述隔離件固定環用于將所述噴頭部隔離件固定在所述隔離件安裝孔內。

進一步的，所述噴頭部隔離件上還設置有與所述壓板相對設置的底板，所述底板套裝在所述連接柱上且與所述噴頭部隔離件固定連接，所述底板的底面與所述噴頭部隔離件的上端面上開設有對應設置的銷孔，所述銷孔用于容納定位銷以定位所述底板，所述升降桿的一端與所述底板接觸式連接，所述導向桿的一端與所述底板連接。

進一步的，所述底板的底面上開設有環繞所述連接柱的第一密封槽，所述第一密封槽內容置有第一密封圈。