[實用新型]一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構有效
| 申請號: | 202022796775.8 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN213816078U | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發明(設計)人: | 盧小東 | 申請(專利權)人: | 華芯威半導體科技(北京)有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京邦創至誠知識產權代理事務所(普通合伙) 11717 | 代理人: | 張宇鋒 |
| 地址: | 100744 北京市大興區經濟*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 碳化硅 半導體 生產 加工 模具 結構 | ||
1.一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,包括模具本體,所述模具本體的頂部間隔均勻的設置有若干鑲件單元,模具本體上配合鑲件單元設置有安裝孔,其特征在于:所述鑲件單元包括兩個并列設置的鑲塊,兩個鑲塊通過連接部固定連接并且鑲塊關于連接部對稱設置,所述鑲塊的寬度與連接部的寬度相等,所述模具本體通過螺釘與鑲塊的底部固定連接,所述模具本體上在與連接部對應的位置設置有輔助卸件螺紋孔,輔助卸件螺紋孔的底部設置有與模具本體的底端貫通的讓位孔,讓位孔的直徑大于輔助卸件螺紋孔的孔徑。
2.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,其特征在于:所述鑲塊與連接部為一體式結構。
3.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,其特征在于:所述鑲塊上設置有插槽。
4.根據權利要求3所述的一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,其特征在于:所述插槽的內壁上設置有耐磨層。
5.根據權利要求4所述的一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,其特征在于:所述耐磨層為高鉻合金耐磨層。
6.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,其特征在于:所述模具本體上配合螺釘設置有安裝孔,所述鑲塊上配合螺釘設置有螺紋孔。
7.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,其特征在于:所述模具本體的底部在對應螺釘的位置設置有空槽結構。
8.根據權利要求1所述的一種用于碳化硅半導體生產加工的模具結構,其特征在于:所述輔助卸件螺紋孔的高度為5-10mm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





