[實用新型]真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機

有效

• 申請號: 202022792523.8
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN213924998U
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 范玉山;黃桃
• 申請（專利權）人: 蘇州德耐納米科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/32;C23C14/50
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246
• 代理人: 季棟林

本實用新型公開了真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，涉及鍍膜機技術領域，為解決現有的一些復合鍍膜機穩定性不高，導致產品質量下降的問題。所述箱體結構的上方安裝有鍍膜結構，所述鍍膜結構的上方設置有接入降溫器，所述接入降溫器的一側安裝有滑軌，所述箱體結構的前端面設置有檢測門，所述鍍膜結構的前端安裝有滑移真空門，所述箱體結構的一側設置有連接通道，所述連接通道的一側安裝有主控結構，所述主控結構的上方設置有調節結構，所述調節結構的一側安裝有警報器，所述箱體結構的內部設置有減震彈簧結構，所述減震彈簧結構的上方安裝有真空抽氣器，所述真空抽氣器的一端設置有管道，所述鍍膜結構的內部安裝有工體轉架。

技術領域

本實用新型涉及鍍膜機技術領域，具體為真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機。

背景技術

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空電阻加熱蒸發，電子槍加熱蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積，離子束濺射等很多種，主要思路是分成蒸發和濺射兩種，需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材，基片與靶材同在真空腔中，蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜，對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。

但是隨著復合鍍膜機的使用，現有的一些復合鍍膜機穩定性不高，導致產品質量下降；因此，不滿足現有的需求，對此我們提出了真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，以解決上述背景技術中提出的現有的一些復合鍍膜機穩定性不高，導致產品質量下降的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，包括箱體結構，所述箱體結構的上方安裝有鍍膜結構，所述鍍膜結構的上方設置有接入降溫器，所述接入降溫器的一側安裝有滑軌，所述箱體結構的前端面設置有檢測門，所述鍍膜結構的前端安裝有滑移真空門，所述箱體結構的一側設置有連接通道，所述連接通道的一側安裝有主控結構，所述主控結構的上方設置有調節結構，所述調節結構的一側安裝有警報器，所述箱體結構的內部設置有減震彈簧結構，所述減震彈簧結構的上方安裝有真空抽氣器，所述真空抽氣器的一端設置有管道，所述鍍膜結構的內部安裝有工體轉架，所述工體轉架的一側設置有弧靶結構，所述弧靶結構的一側安裝有真空室，所述真空室的內壁設置有錫箔絕緣層，所述真空室的一側安裝有磁控濺射裝置，所述警報器的一側設置有安裝結構。

優選的，所述箱體結構的底部安裝有支撐架，且支撐架與箱體結構的底部固定連接。

優選的，所述鍍膜結構的外壁設置有弧源裝置，且弧源裝置與鍍膜結構的外壁固定連接。

優選的，所述主控結構的前端面安裝有指示燈，且指示燈與主控結構的前端固定連接。

優選的，所述管道的一側設置有密封層，且密封層與管道的一側固定連接。

優選的，所述工體轉架的一端安裝有掛置板，且掛置板與工體轉架的一端固定連接。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：

1、本實用新型與普通的真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機不同的是，設置的箱體結構和鍍膜結構的結合，利用工體轉架上的不同的掛置板，可以很好的放置不同的需要鍍膜的產品，從而增加實用性能，設置的錫箔絕緣層，當鍍膜機在運行時，可以有效的降低外界對內部磁場的影響，提高防護性，從而提高產品質量。

2、通過設置的減震彈簧結構，可以有效的減緩震動，從而避免內部磁場發生變化，增加穩定性，設置的密封層，可以有效的使內部的氣體穩定性提升，增加實用性能。

附圖說明

圖1為本實用新型的整體結構示意圖；