[實用新型]真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機

有效

• 申請號: 202022792523.8
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN213924998U
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 范玉山;黃桃
• 申請（專利權）人: 蘇州德耐納米科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/32;C23C14/50
• 代理公司: 蘇州銘浩知識產權代理事務所(普通合伙) 32246
• 代理人: 季棟林

1.真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，包括箱體結構（1），其特征在于：所述箱體結構（1）的上方安裝有鍍膜結構（4），所述鍍膜結構（4）的上方設置有接入降溫器（13），所述接入降溫器（13）的一側安裝有滑軌（15），所述箱體結構（1）的前端面設置有檢測門（3），所述鍍膜結構（4）的前端安裝有滑移真空門（5），所述箱體結構（1）的一側設置有連接通道（6），所述連接通道（6）的一側安裝有主控結構（7），所述主控結構（7）的上方設置有調節結構（11），所述調節結構（11）的一側安裝有警報器（12），所述箱體結構（1）的內部設置有減震彈簧結構（16），所述減震彈簧結構（16）的上方安裝有真空抽氣器（17），所述真空抽氣器（17）的一端設置有管道（18），所述鍍膜結構（4）的內部安裝有工體轉架（20），所述工體轉架（20）的一側設置有弧靶結構（24），所述弧靶結構（24）的一側安裝有真空室（19），所述真空室（19）的內壁設置有錫箔絕緣層（21），所述真空室（19）的一側安裝有磁控濺射裝置（10），所述警報器（12）的一側設置有安裝結構（8）。

2.根據權利要求1所述的真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，其特征在于：所述箱體結構（1）的底部安裝有支撐架（2），且支撐架（2）與箱體結構（1）的底部固定連接。

3.根據權利要求1所述的真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，其特征在于：所述鍍膜結構（4）的外壁設置有弧源裝置（14），且弧源裝置（14）與鍍膜結構（4）的外壁固定連接。

4.根據權利要求1所述的真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，其特征在于：所述主控結構（7）的前端面安裝有指示燈（9），且指示燈（9）與主控結構（7）的前端固定連接。

5.根據權利要求1所述的真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，其特征在于：所述管道（18）的一側設置有密封層（22），且密封層（22）與管道（18）的一側固定連接。

6.根據權利要求1所述的真空磁控濺射多弧離子復合鍍膜機，其特征在于：所述工體轉架（20）的一端安裝有掛置板（23），且掛置板（23）與工體轉架（20）的一端固定連接。